[實用新型]晶片承載裝置

有效

• 申請號: 202120376003.0
• 申請日: 2021-02-19
• 公開（公告）號: CN212991071U
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 北京中硅泰克精密技術有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/687
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

本實用新型提供一種晶片承載裝置，設置在半導體工藝設備的工藝腔室中，包括承載主體和壓緊部件，其中，承載主體可移動，用于承載并吸附晶片，壓緊部件搭接在工藝腔室中的內襯上，并與承載主體可分離的配合，用于將晶片的邊緣壓緊在承載主體上。本實用新型提供的晶片承載裝置，能夠將產生翹曲變形呈中間下凹邊緣上翹的晶片完全吸附于其上，從而改善此種翹曲變形的晶片的工藝結果，提高適用性。

技術領域

本實用新型涉及半導體設備技術領域，具體地，涉及一種晶片承載裝置。

背景技術

在目前的半導體設備中，通常使用靜電卡盤（Electrostatic Chuck，簡稱ESC）替代原有的機械卡盤在半導體工藝中承載晶片（wafer）。靜電卡盤通過其與晶片之間產生的靜電力能夠將晶片吸附在其上，可以避免晶片在半導體工藝中移動。

但是，晶片在整個半導體工藝中通常會進行數十道乃至上百道工藝制程，而晶片在經過多道不同的工藝制程后，表面會逐漸沉積多種不同材料，多種不同材料的內應力積聚會導致晶片出現翹曲變形，使晶片呈中間下凹邊緣上翹的形狀，隨著內應力越來越大，晶片的翹曲量可以逐漸增加至1mm-2mm，這樣就會導致在晶片放置于靜電卡盤上后，晶片的邊緣與靜電卡盤的距離較遠，從而導致晶片的邊緣與靜電卡盤之間的靜電力較小，進而導致靜電卡盤無法將晶片的邊緣吸附于其上，對半導體工藝結果產生嚴重影響。

發明內容

本實用新型旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種晶片承載裝置，其能夠將產生翹曲變形呈中間下凹邊緣上翹的晶片完全吸附于其上，從而改善此種翹曲變形的晶片的工藝結果，提高適用性。

為實現本實用新型的目的而提供一種晶片承載裝置，設置在半導體工藝設備的工藝腔室中，包括承載主體和壓緊部件，其中，所述承載主體可移動，用于承載并吸附所述晶片，所述壓緊部件搭接在所述工藝腔室中的內襯上，并與所述承載主體可分離的配合，用于將所述晶片的邊緣壓緊在所述承載主體上。

優選的，所述壓緊部件包括多個壓緊件，多個所述壓緊件沿所述承載主體的周向間隔分布，多個所述壓緊件均搭接在所述內襯上，并均與所述承載主體可分離的配合，用于分別將所述晶片的邊緣的不同部分壓緊在所述承載主體上。

優選的，各所述壓緊件均包括壓緊部和搭接部，其中，所述搭接部位于所述承載主體的外側，搭接在所述內襯上，所述壓緊部與所述搭接部連接并相對于所述搭接部朝靠近所述承載主體的方向凸出，且能夠與承載于所述承載主體上的所述晶片的邊緣的部分相貼合，將所述晶片的邊緣的部分壓緊在所述承載主體上。

優選的，所述壓緊部件包括呈環狀的壓緊件，所述壓緊件環繞在所述承載主體的周圍，與所述承載主體可分離的配合，用于將所述晶片的全部邊緣壓緊在所述承載主體上。

優選的，所述壓緊件包括壓緊部和搭接部，其中，所述搭接部呈環狀，位于所述承載主體的外側，搭接在所述內襯上，所述壓緊部呈環狀，并與所述搭接部連接且相對于所述搭接部朝靠近所述承載主體的方向凸出，且能夠與承載于所述承載主體上的所述晶片的全部邊緣相貼合，將所述晶片的全部邊緣壓緊在所述承載主體上。

優選的，所述承載主體中設置有靜電吸附組件，所述靜電吸附組件在通電時能夠與所述晶片之間產生靜電力，將所述晶片吸附在所述承載主體上。

優選的，所述靜電吸附組件包括正電極部件、負電極部件、第一導電部件和第二導電部件，其中，所述正電極部件和所述負電極部件間隔的設置在所述承載主體中，所述第一導電部件貫穿所述承載主體，并與所述正電極部件電連接，所述第二導電部件貫穿所述承載主體，并與所述負電極部件電連接。

優選的，所述承載主體中設置有導氣通道，所述導氣通道貫穿所述承載主體，并貫通至所述承載主體承載所述晶片的一面，用于向所述晶片與所述承載主體之間導入氣體。

優選的，所述導氣通道與所述承載主體同軸設置。