[實(shí)用新型]下電極組件和等離子體處理裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202120366877.8
• 申請(qǐng)日: 2021-02-08
• 公開（公告）號(hào): CN214672493U
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳磊;葉如彬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32;H01J37/04;H01J37/20
• 代理公司: 上海元好知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31323
• 代理人: 張靜潔;徐雯瓊

一種下電極組件和等離子體處理裝置，其中，所述下電極組件包括：基座，其內(nèi)設(shè)有凹槽；靜電夾盤，位于所述基座上，用于吸附待處理基片，其內(nèi)設(shè)有第一氣體通道，所述第一氣體通道與凹槽對(duì)應(yīng)；第一陶瓷件和第二陶瓷件，設(shè)于所述凹槽內(nèi)，且二者相互配合形成第二氣體通道，所述第二氣體通道與第一氣體通道相互連通，用于向待處理基片的背面輸送冷卻氣體，以控制所述待處理基片的溫度，其中，所述第二氣體通道為非直線。所述下電極組件有利于降低靜電夾盤發(fā)生點(diǎn)火放電。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種下電極組件和等離子體處理裝置。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體器件制造的各種工序中，等離子體處理是將待處理基片加工成設(shè)計(jì)圖案的關(guān)鍵工藝。在典型的等離子體處理工藝中，工藝氣體在射頻(Radio Frequency，RF)激勵(lì)作用下形成等離子體。這些等離子體在經(jīng)過上電極和下電極之間的電場(chǎng)(電容耦合或者電感耦合)作用后與待處理基片表面發(fā)生物理轟擊作用及化學(xué)反應(yīng)，從而對(duì)待處理基片表面進(jìn)行處理。

所述等離子體處理工藝在等離子體處理裝置內(nèi)進(jìn)行，所述等離子體處理裝置包括基座和位于基座上方的靜電夾盤，所述靜電夾盤用于吸附待處理基片。通常所述基座和靜電夾盤內(nèi)設(shè)有氦氣孔，所述氦氣孔用于向所述待處理基片的背面輸送氦氣，以控制所述待處理基片的溫度。然而，現(xiàn)有氦氣孔很容易發(fā)生點(diǎn)火放電問題。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型解決的技術(shù)問題是提供了一種下電極組件和等離子體處理裝置，以減少靜電夾盤內(nèi)發(fā)生點(diǎn)火放電。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種下電極組件，包括：基座，其內(nèi)設(shè)有凹槽；靜電夾盤，位于所述基座上，用于吸附待處理基片，其內(nèi)設(shè)有第一氣體通道，所述第一氣體通道與凹槽對(duì)應(yīng)；用于向待處理基片的表面輸送冷卻氣體，以控制所述待處理基片的溫度；第一陶瓷件和第二陶瓷件，設(shè)于所述凹槽內(nèi)，且二者相互配合形成第二氣體通道，所述第二氣體通道與第一氣體通道相互連通，用于向待處理基片的背面輸送冷卻氣體，以控制所述待處理基片的溫度，其中，所述第二氣體通道為非直線的。

可選的，所述基座的材料為金屬；所述靜電夾盤的材料為陶瓷材料。

可選的，所述第二氣體通道為：彎折結(jié)構(gòu)或者曲線結(jié)構(gòu)。

可選的，當(dāng)所述第二氣體通道的非直線為彎折結(jié)構(gòu)時(shí)，所述第一陶瓷件底部設(shè)有貫穿部分第一陶瓷件的第一開孔，所述第一陶瓷件的頂部的側(cè)壁設(shè)有第二開孔；所述第二陶瓷件底部設(shè)有開口，所述開口用于容納所述第一陶瓷件的頂部，且所述第二開孔被所述開口包圍，所述第一陶瓷件的頂部與開口內(nèi)側(cè)壁之間形成間隙，所述第二陶瓷件的頂部設(shè)有第三開孔，且所述第一開孔、第二開孔、間隙和第三開孔連通，所述第一開孔、第二開孔、間隙和第三開孔構(gòu)成所述第二氣體通道，所述間隙的中心線與第一開孔、第三開孔的中心線不共線。

可選的，所述第一陶瓷件包括底部件和位于底部件上方的凸臺(tái)件，所述凸臺(tái)件在基座上的投影面積小于底部件在基座上的投影面積，所述第一開孔貫穿所述底部件和部分凸臺(tái)件，所述第二開孔設(shè)有所述凸臺(tái)件的側(cè)壁，所述第二陶瓷件的開口用于容納凸臺(tái)件，所述凸臺(tái)件與開口的側(cè)壁形成所述間隙。

可選的，所述第一陶瓷件和第二陶瓷件左右或者上下放置，兩者相互配合形成非直線的第二氣體通道。

可選的，所述第一陶瓷件包括第一側(cè)，所述第二陶瓷件包括第二側(cè)，所述第一側(cè)的第一陶瓷件為鋸齒狀，所述第二側(cè)的第二陶瓷件為鋸齒狀，所述第一側(cè)與第二側(cè)相互配合形成所述第二氣體通道。

可選的，所述第一陶瓷件的外壁設(shè)有螺旋狀的溝槽，所述第二陶瓷件與為筒狀結(jié)構(gòu)，所述第二陶瓷件套設(shè)在所述第一陶瓷件的外部，所述螺旋形的溝槽與第二陶瓷件的內(nèi)壁之間形成所述第二氣體通道。

可選的，所述第一陶瓷件與第二陶瓷件一體成型，所述第一陶瓷件和第二陶瓷件內(nèi)設(shè)有所述第二氣體通道，所述第二氣體通道是由若干個(gè)菱形通道堆疊而成，且每個(gè)菱形通道還包括連接對(duì)角線的連接通道。