[實(shí)用新型]下電極組件及化學(xué)氣相沉積裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202120359603.6
• 申請(qǐng)日: 2021-02-09
• 公開（公告）號(hào): CN214300349U
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜勇;謝振南
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/458
• 分類號(hào): C23C16/458;C23C16/46;C23C16/52
• 代理公司: 上海元好知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31323
• 代理人: 徐雯瓊;張靜潔

一種下電極組件及化學(xué)氣相沉積裝置，其中，下電極組件包括：加熱盤，具有凹陷于其表面的基片槽，所述基片槽的底部設(shè)有凸臺(tái)，用于支撐基片，所述基片與基片槽的底部之間形成凹坑空間，所述基片槽的底部內(nèi)設(shè)有若干個(gè)加熱元件，所述基片槽的底部設(shè)有進(jìn)氣口，用于向所述凹坑空間內(nèi)基片的背面輸送導(dǎo)熱氣體。利用所述化學(xué)氣相沉積裝置有利于提高基片不同區(qū)域溫度的一致性。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種下電極組件及化學(xué)氣相沉積裝置。

背景技術(shù)

化學(xué)氣相沉積工藝是半導(dǎo)體領(lǐng)域非常重要的一種工藝方法，其主要用于在基片的表面沉積薄膜。化學(xué)氣相沉積工藝通常在化學(xué)氣相沉積裝置內(nèi)進(jìn)行，所述化學(xué)氣相沉積裝置包括：反應(yīng)腔和位于所述反應(yīng)腔內(nèi)的加熱盤，所述加熱盤內(nèi)設(shè)有若干個(gè)加熱單元，所述加熱單元用于對(duì)基片進(jìn)行加熱，且所述加熱盤設(shè)有凹陷于其表面的凹坑空間，所述所述凹坑空間內(nèi)設(shè)有若干個(gè)凸臺(tái)用于支撐基片，使基片底部與凹坑空間底部形成一空間，那么化學(xué)氣相沉積工藝過程中的工藝氣體易進(jìn)入所述空間內(nèi)，但是，工藝氣體的傳熱能力較差，使基片的加熱方式主要來自于凹坑空間底部的輻射加熱。

然而，由于若干個(gè)加熱單元相互分立設(shè)置，使基片下方有的區(qū)域與加熱單元相對(duì)，有些區(qū)域下方無加熱單元，因此，基片不同區(qū)域溫度的一致性較差。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種下電極組件及化學(xué)氣相沉積裝置，以提高基片不同區(qū)域溫度的均勻性。

為了實(shí)現(xiàn)以上目的，本實(shí)用新型提供一種下電極組件，包括：加熱盤，具有凹陷于其表面的基片槽，所述基片槽的底部設(shè)有凸臺(tái)，所述凸臺(tái)用于支撐基片，所述基片與基片槽的底部之間形成凹坑空間，所述基片槽的底部內(nèi)設(shè)有若干個(gè)加熱元件，所述基片槽的底部設(shè)有進(jìn)氣口，所述進(jìn)氣口用于向所述凹坑空間內(nèi)所述基片的背面輸送導(dǎo)熱氣體，所述導(dǎo)熱氣體在所述凹坑空間內(nèi)擴(kuò)散，最后從所述基片邊緣與基片槽側(cè)壁之間的間隙釋放出去。

可選的，所述導(dǎo)熱氣體包括：氫氣、氮?dú)狻鍤饣蚝庵械囊环N或者多種。

可選的，所述進(jìn)氣口的個(gè)數(shù)為多個(gè)，多個(gè)所述進(jìn)氣口在所述基片槽的底部均勻分布。

可選的，所述基片槽的底部設(shè)有若干個(gè)第一氣道，所述導(dǎo)熱氣體由所述進(jìn)氣口進(jìn)入所述第一氣道。

可選的，所述若干個(gè)第一氣道同心設(shè)置，所述進(jìn)氣口與內(nèi)圈的第一氣道連通，不同圈的第一氣道之間通過連接通道連通。

可選的，還包括：位于所述加熱盤下方中心區(qū)域的支撐筒，所述支撐筒包括：內(nèi)支撐筒和外支撐筒。

可選的，所述內(nèi)支撐筒與外支撐筒內(nèi)外套設(shè)，在所述內(nèi)支撐筒與外支撐筒之間形成第二氣道，所述第二氣道與進(jìn)氣口連通。

可選的，所述內(nèi)支撐筒位于所述加熱盤下方的中心，所述外支撐筒為多個(gè)，多個(gè)所述外支撐筒環(huán)繞設(shè)置在所述內(nèi)支撐筒的外圍，所述外支撐筒內(nèi)為第二氣道，所述第二氣道與進(jìn)氣口連通。

可選的，所述加熱盤不旋轉(zhuǎn)，還包括：位于所述支撐筒下方的密封件，所述密封件內(nèi)設(shè)有氣體傳輸通道，所述氣體傳輸通道與所述進(jìn)氣口連通，用于輸送導(dǎo)熱氣體。

可選的，所述加熱盤旋轉(zhuǎn)沿其中心軸旋轉(zhuǎn)，還包括：磁流體裝置，位于所述支撐筒的下方，所述磁流體裝置包括：磁流體內(nèi)軸和磁流體外軸，所述磁流體內(nèi)軸的外側(cè)壁與磁流體外軸的內(nèi)側(cè)壁之間通過磁流體環(huán)形成軸間氣道，所述磁流體內(nèi)軸內(nèi)部設(shè)置有內(nèi)軸氣道，所述內(nèi)軸氣道包括縱向氣道和橫向氣道，所述縱向氣道包括第一端和第二端，所述橫向氣道包括第三端和第四端，所述第一端為磁流體出氣口，所述磁流體出氣口與進(jìn)氣口連通，所述第二端與第三端連通，所述第四端與所述軸間氣道連通，所述磁流體外軸側(cè)壁設(shè)置若干個(gè)磁流體進(jìn)氣口，所述磁流體進(jìn)氣口與所述軸間氣道連通。

可選的，不同的所述磁流體進(jìn)氣口與不同的軸間氣道連通，使基片的不同區(qū)域的溫度可調(diào)。