[實用新型]一種半導體器件整合封裝結構

有效

• 申請號: 202120332509.1
• 申請日: 2021-02-05
• 公開（公告）號: CN214254417U
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發明（設計）人: 林育賜;蔡文必;徐寧;趙杰;何俊蕾;劉成;葉念慈
• 申請（專利權）人: 廈門市三安集成電路有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/31
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體器件整合封裝結構，其特征在于：包括基板、GaN基功率場效應晶體管和至少一反向續流二極管，GaN基功率場效應晶體管的襯底焊接到封裝基板上，反向續流二極管的陽極焊接到GaN基功率場效應晶體管的源極上，反向續流二極管的陰極通過金屬引線與GaN基功率場效應晶體管的漏極相連，金屬引線分別引出合封結構的柵極、源極以及漏極。

2.根據權利要求1所述的一種半導體器件整合封裝結構，其特征在于：GaN基功率場效應晶體管為肖特基金屬柵、MIS結構柵、凹槽結構柵或者P型GaN結構柵中的一種。

3.根據權利要求1所述的一種半導體器件整合封裝結構，其特征在于：反向續流二極管包含硅基、鍺基或者碳化硅基中的任意一種。

4.根據權利要求1所述的一種半導體器件整合封裝結構，其特征在于：反向續流二極管包含肖特基結構、PN結構或者PIN結構的任意一種。

5.根據權利要求1所述的一種半導體器件整合封裝結構，其特征在于：反向續流二極管的導通壓降小于等于1.5V。

6.根據權利要求1所述的一種半導體器件整合封裝結構，其特征在于：反向續流二極管數量為2個或者2個以上時，反向續流二極管之間并聯。

7.根據權利要求1所述的一種半導體器件整合封裝結構，其特征在于：反向續流二極管數量為2個或者2個以上時，反向續流二極管之間串聯。

8.根據權利要求1所述的一種半導體器件整合封裝結構，其特征在于：反向續流二極管為垂直結構。