[實用新型]基因測序傳感裝置

有效

• 申請號: 202120308404.2
• 申請日: 2021-02-03
• 公開（公告）號: CN215404243U
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發明（設計）人: 王賢超;洪秉宙;崔皓辰
• 申請（專利權）人: 上海芯像生物科技有限公司
• 主分類號: C12M1/36
• 分類號: C12M1/36;C12M1/34;C12M1/00;H04N5/374
• 代理公司: 上海市華誠律師事務所 31210
• 代理人: 竹民

1.基因測序傳感裝置，其包括：

一個CMOS圖像傳感器，其表面處理成適合承載流體狀樣本，包括一個CMOS像素陣列，用于接受并檢測所述樣本發出的光信號，并產生相應的檢測信號輸出；

其特征在于，所述CMOS像素為雙轉換增益像素，具備兩個不同的轉換增益，包括一個高轉換增益HiCG和一個低轉換增益LoCG，所述CMOS像素可以分別在所述高轉換增益模式和所述低轉換增益模式下工作，并產生相應的檢測信號，

所述雙轉換增益像素包括：一個光電轉換器件，用于接受樣本發出的光信號，并將其轉換成電信號；一個傳輸晶體管，連接所述光電轉換器件和一個浮動擴散，用于將所述光電轉換器件產生的電信號傳輸至所述浮動擴散；一個復位晶體管，連接所述浮動擴散，用于使所述浮動擴散復位；一個輸出晶體管，將所述浮動擴散的電信號放大；一個雙轉換增益器件，連接所述浮動擴散；一個行選擇晶體管，用于控制像素檢測信號的輸出。

2.如權利要求1所述的基因測序傳感裝置，其特征在于，所述雙轉換增益器件包括一個MOS晶體管，其漏極連接所述浮動擴散，其源極連接一個電容，其柵極受一個DCG信號控制，當所述MOS晶體管在DCG信號控制下導通時，所述像素工作于低轉換增益模式下，當所述MOS晶體管在DCG信號控制下關閉時，所述像素工作于高轉換增益模式下。

3.如權利要求1所述的基因測序傳感裝置，其特征在于，所述雙轉換增益器件包括一個NMOS晶體管，其柵極連接所述浮動擴散，其源極和漏極共同受一個DCG信號控制，當所述DCG信號為高電平時，所述像素工作于低轉換增益模式下，當所述MOS晶體管在DCG信號控制下關閉時，所述像素工作于高轉換增益模式下。

4.如權利要求1所述的基因測序傳感裝置，其特征在于，所述光電轉換器件包括一個光電二極管。