[實用新型]一種填充6

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202120300363.2
• 申請日: 2021-02-03
• 公開（公告）號: CN213905378U
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 葉鑫;鄒繼軍;朱志甫;陳大洪;周青
• 申請（專利權(quán)）人: 東華理工大學(xué)
• 主分類號: H01L31/115
• 分類號: H01L31/115;H01L31/118;H01L31/18
• 代理公司: 南昌新天下專利商標(biāo)代理有限公司 36115
• 代理人: 施秀瑾

1.一種填充⁶LiF的半絕緣GaAs微溝槽中子探測器，包括半絕緣GaAs襯底，其特征在于，所述半絕緣GaAs襯底上沉積有SiO₂鈍化層，所述沉積有SiO₂鈍化層的半絕緣GaAs襯底上刻蝕有呈周期性布置的微溝槽，所述微溝槽內(nèi)填充有用于形成中子轉(zhuǎn)換層的⁶LiF中子轉(zhuǎn)換材料；同時在半絕緣GaAs襯底正面利用電子束或熱蒸發(fā)工藝在正面肖特基區(qū)域沉積Ti/Pt/Au以形成正面肖特基金屬電極，在半絕緣GaAs襯底背面利用電子束或熱蒸發(fā)工藝沉積Mg/Au以形成背面歐姆金屬電極。

2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種填充⁶LiF的半絕緣GaAs微溝槽中子探測器，其特征在于，所述半絕緣GaAs襯底的電子遷移率大于3500cm²/v.s，且1E8Ω·cm＜半絕緣GaAs襯底電阻率＜2.2E8Ω·cm，半絕緣GaAs襯底厚度為340 ～360μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種填充⁶LiF的半絕緣GaAs微溝槽中子探測器，其特征在于，所述SiO₂鈍化層厚度為500～1000nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種填充⁶LiF的半絕緣GaAs微溝槽中子探測器，其特征在于，所述微溝槽寬度為15～30μm，深度為5～30μm，且相鄰槽壁間距為15～30μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種填充⁶LiF的半絕緣GaAs微溝槽中子探測器，其特征在于，所述正面肖特基金屬電極中Ti厚度為10～30nm，Pt厚度為20～60nm，Au厚度為60～70nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種填充⁶LiF的半絕緣GaAs微溝槽中子探測器，其特征在于，所述背面歐姆金屬電極中Mg厚度為40～60nm，Au厚度為60～80nm。