[實用新型]一種0dB衰減器有效
| 申請號: | 202120098384.0 | 申請日: | 2021-01-14 |
| 公開(公告)號: | CN214013137U | 公開(公告)日: | 2021-08-20 |
| 發明(設計)人: | 劉錄生;宋柏;陳濤 | 申請(專利權)人: | 成都知融科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01P1/22 | 分類號: | H01P1/22 |
| 代理公司: | 成都天嘉專利事務所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 蘇丹 |
| 地址: | 610000 四川省成都市*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 db 衰減器 | ||
本申請涉及毫米波電路領域,是應用在毫米波電路中的一種0dB衰減器,其包括支撐結構,所述支撐結構上設置有金屬再布線層,所述金屬再布線層上劃分為一個信號傳輸區域和兩個信號回流區域,兩個信號回流區域分別設置在信號傳輸區域的兩側,所述信號傳輸區域和信號回流區域上覆蓋有高分子有機材料層,所述高分子有機材料層上設置有開孔,開孔處設置有錫球,所述錫球穿過開孔與所述信號傳輸區域或信號回流區域連接。本申請所設計的0dB衰減器不需要使用衰減器晶片,省去了0dB衰減器晶片的設計、生產、驗證等一系列的工作和成本,同時大大的縮短了產品生產周期。
技術領域
本申請涉及毫米波電路領域,是應用在毫米波電路中的一種0dB衰減器。
背景技術
0dB衰減器在毫米波電路中應用比較廣泛。如申請號為CN201621351780.5,名稱為《一種氧化鈹陶瓷基板100瓦10dB集成衰減器》的實用新型專利,其技術方案為:本實用新型公開了一種氧化鈹陶瓷基板100瓦10dB集成衰減器,其包括底板和氧化鈹基板,氧化鈹基板的背面兩側分別設有焙銀,氧化鈹基板通過焙銀與底板連接,氧化鈹基板正面設有電阻膜和銀電極,銀電極與氧化鈹基板背面兩側的焙銀連接,氧化鈹基板兩側設有輸入引線和輸出引線,電阻膜與銀電極、輸入引線和輸出引線配合形成分布式衰減網絡,分布式衰減網絡通過焙銀與底板連接。
但是現有的0dB衰減器一般是QFN形式的封裝,里邊包含0dB的衰減器晶片、金絲、引線框架以及塑料封裝殼。這種形式的衰減器體積偏大、工作頻率不夠高、插入損耗偏高、金絲還會帶來電磁兼容問題。
發明內容
為了克服現有技術中出現的上述問題,現提出一種0dB衰減器。
為實現上述目的,本申請的技術方案如下:
一種0dB衰減器,包括支撐結構,所述支撐結構上設置有金屬再布線層,所述金屬再布線層上劃分為一個信號傳輸區域和兩個信號回流區域,兩個信號回流區域分別設置在信號傳輸區域的兩側,所述信號傳輸區域和信號回流區域上覆蓋有高分子有機材料層,所述高分子有機材料層上設置有開孔,開孔處設置有錫球,所述錫球穿過開孔與所述信號傳輸區域或信號回流區域連接。
進一步地,信號傳輸區域上均勻分布有兩個錫球,每個信號回流區域上均勻分布有三個錫球,所有錫球呈規則的陣列排布。
再進一步地,沿信號傳輸區域和信號回流區域的寬度方向,相鄰的錫球之間的中心間距為0.4mm-0.6mm。
進一步地,所述錫球直徑為0.2mm-0.3mm。
進一步地,所述支撐結構為樹脂料。樹脂料可選常用的G770或G730。
進一步地,衰減器采用了先進封裝中的再布線技術,利用封裝中的金屬再布線層最終形成。
進一步地,所述高分子有機材料層為聚酰亞胺層。
進一步地,所述錫球為有鉛錫或無鉛錫。
本實用新型的優點在于:
1、本申請所設計的0dB衰減器不需要使用衰減器晶片,省去了0dB衰減器晶片的設計、生產、驗證等一系列的工作和成本,同時大大的縮短了產品生產周期。
2、與常規0dB衰減器相比,本申請所設計的0dB衰減器不使用衰減器晶片,減少了結構上的轉接,使衰減器的傳輸性能更優,如插入損耗和回波損耗都有較明顯的改善。
3、本申請所設計的0dB衰減器不使用鍵合線,使衰減器具有良好的電磁兼容特性。
4、本申請所設計的0dB衰減器結構工作頻帶可達到40GHz,常而規0dB衰減器只能在較低頻率下正常工作。
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