[實用新型]一種低空洞率的倒裝LED芯片有效
| 申請號： | 202120078301.1 | 申請日： | 2021-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN214411241U | 公開（公告）日： | 2021-10-15 |
| 發明（設計）人： | 范凱平;曠明勝;徐亮;仇美懿;何俊聰 | 申請（專利權）人： | 佛山市國星半導體技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/62 | 分類號： | H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡楓;李素蘭 |
| 地址： | 528200 廣東省佛山市南海區獅*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 空洞 倒裝 led 芯片 | ||
1.一種低空洞率的倒裝LED芯片，包括襯底、設于襯底上的發光結構、設于發光結構上的電極，其特征在于，還包括設于電極上的焊接層、以及設于焊接層上的點測接觸層；所述焊接層為疊層結構，包括多層Sn/Au疊層；或者，所述焊接層為疊層結構，包括多層Sn/AuSn疊層；或者，所述焊接層為疊層結構，包括多層AuSn層。
2.如權利要求1所述的低空洞率的倒裝LED芯片，其特征在于，Sn/Au疊層中Sn的厚度為0.2～0.4μm，Au的厚度為1～1.5μm。
3.如權利要求1所述的低空洞率的倒裝LED芯片，其特征在于，Sn/AuSn疊層中Sn的厚度為0.15～0.35μm，AuSn的厚度為1.05～1.55μm。
4.如權利要求1所述的低空洞率的倒裝LED芯片，其特征在于，所述焊接層包括3～10層AuSn層。
5.如權利要求4所述的低空洞率的倒裝LED芯片，其特征在于，所述焊接層包括3層AuSn層，其中，第一層為Au0.75Sn0.25，第二層為Au0.8Sn0.2，第三層為Au0.85Sn0.15，第一層Au0.75Sn0.25設置在電極上，第二層Au0.8Sn0.2設置在第一層Au0.75Sn0.25上，第三層Au0.85Sn0.15設置在第二層Au0.8Sn0.2上。
6.如權利要求1所述的低空洞率的倒裝LED芯片，其特征在于，所述點測接觸層的材料選自金或鉑，其厚度為30～70nm。
7.如權利要求1所述的低空洞率的倒裝LED芯片，其特征在于，所述發光結構包括設于襯底上的外延層、設于外延層上的透明導電層、設于透明導電層上的反射層、以及設于反射層和外延層上的保護層，其中，所述外延層包括設于襯底上的第一半導體層、設于第一半導體層上的有源層、以及設于有源層上的第二半導體層。
8.如權利要求7所述的低空洞率的倒裝LED芯片，其特征在于，所述反射層包括Ag層和Ag保護層，所述Ag保護層覆蓋在Ag層上。
9.如權利要求8所述的低空洞率的倒裝LED芯片，其特征在于，所述Ag保護層的材料選自Ti、W、Al、Ni、Pt中的一種金屬。
10.如權利要求7所述的低空洞率的倒裝LED芯片，其特征在于，所述電極包括第一電極和第二電極，所述第一電極貫穿保護層并設置在第一半導體層上，所述第二電極貫穿保護層和反射層并設置在透明導電層上；
其中，所述第一電極和第二電極為等大電極，且高度在同一水平面上。
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