[實(shí)用新型]一種降低VDMOS開(kāi)關(guān)時(shí)間的器件結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202120077275.0
• 申請(qǐng)日: 2021-01-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN213878105U
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王丕龍;張永利;王新強(qiáng);秦鵬海;劉文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳佳恩功率半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L23/367;H01L23/427
• 代理公司: 武漢聚信匯智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 42258
• 代理人: 劉丹

1.一種降低VDMOS開(kāi)關(guān)時(shí)間的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括

本體機(jī)構(gòu)(10)；

殼體機(jī)構(gòu)(20)，所述殼體機(jī)構(gòu)(20)包括外殼(210)、緩沖組件(260)和散熱組件(270)，所述散熱組件(270)包括散熱片(271)、熱管(272)、銅片(273)、導(dǎo)熱墊(274)和插桿(275)，所述散熱片(271)連接于所述外殼(210)一側(cè)，所述熱管(272)兩端與所述散熱片(271)和所述銅片(273)連接，所述導(dǎo)熱墊(274)兩側(cè)與所述銅片(273)和所述本體機(jī)構(gòu)(10)一側(cè)貼合，所述緩沖組件(260)兩端與所述銅片(273)和所述外殼(210)內(nèi)壁連接，所述插桿(275)安裝于所述銅片(273)一側(cè)，所述插桿(275)插接于所述本體機(jī)構(gòu)(10)，所述外殼(210)套接于所述本體機(jī)構(gòu)(10)外表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低VDMOS開(kāi)關(guān)時(shí)間的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述本體機(jī)構(gòu)(10)包括N+型襯底(110)、N－型外延層(120)、P型體區(qū)(130)、N+有源區(qū)(140)、多晶硅柵極(150)、P+有源區(qū)(160)、源極金屬(170)和柵極氧化區(qū)(180)，所述N－型外延層(120)設(shè)置于所述N+型襯底(110)一側(cè)，所述P型體區(qū)(130)和所述柵極氧化區(qū)(180)設(shè)置于所述N－型外延層(120)一側(cè)，所述N+有源區(qū)(140)設(shè)置于P型體區(qū)(130)一側(cè)，所述P+有源區(qū)(160)設(shè)置于所述P型體區(qū)(130)內(nèi)，所述源極金屬(170)插接于所述N+有源區(qū)(140)，所述源極金屬(170)一端與所述P+有源區(qū)(160)貼合，所述多晶硅柵極(150)設(shè)置于所述柵極氧化區(qū)(180)一側(cè)，所述源極金屬(170)與所述多晶硅柵極(150)和N+有源區(qū)(140)之間設(shè)置有介質(zhì)層，所述導(dǎo)熱墊(274)一側(cè)與所述源極金屬(170)一側(cè)貼合。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種降低VDMOS開(kāi)關(guān)時(shí)間的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述源極金屬(170)一側(cè)開(kāi)設(shè)有凹槽(190)，所述插桿(275)插接于所述凹槽(190)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種降低VDMOS開(kāi)關(guān)時(shí)間的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱組件(270)還包括第二減震墊(276)，所述第二減震墊(276)安裝于所述凹槽(190)內(nèi)壁。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低VDMOS開(kāi)關(guān)時(shí)間的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述插桿(275)設(shè)置為兩個(gè)對(duì)稱分布，所述導(dǎo)熱墊(274)位于兩個(gè)所述插桿(275)之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低VDMOS開(kāi)關(guān)時(shí)間的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述外殼(210)一側(cè)開(kāi)設(shè)有第一通孔(280)，所述第一通孔(280)與所述熱管(272)間隙配合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種降低VDMOS開(kāi)關(guān)時(shí)間的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述緩沖組件(260)包括圓桿(261)和彈簧(262)，所述圓桿(261)連接于所述外殼(210)內(nèi)壁，所述彈簧(262)兩端與所述外殼(210)內(nèi)壁和所述銅片(273)連接，所述彈簧(262)套接于所述圓桿(261)外表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種降低VDMOS開(kāi)關(guān)時(shí)間的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述銅片(273)內(nèi)表面開(kāi)設(shè)有第二通孔(277)，所述圓桿(261)能夠于所述第二通孔(277)內(nèi)移動(dòng)。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種降低VDMOS開(kāi)關(guān)時(shí)間的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述殼體機(jī)構(gòu)(20)還包括支撐柱(220)、支板(230)和第一減震墊(240)，所述支撐柱(220)兩端與所述外殼(210)內(nèi)壁和所述支板(230)連接，所述第一減震墊(240)兩側(cè)與所述支板(230)和所述N+型襯底(110)相貼合。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種降低VDMOS開(kāi)關(guān)時(shí)間的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一減震墊(240)一側(cè)開(kāi)設(shè)有凹痕(250)，所述凹痕(250)與所述支板(230)一側(cè)相貼合。