[發明專利]防串擾顯示陣列及顯示裝置在審
| 申請號: | 202111674903.4 | 申請日: | 2021-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN114335064A | 公開(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發明(設計)人: | 岳大川 | 申請(專利權)人: | 季華實驗室 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/62 |
| 代理公司: | 蘇州謹和知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人: | 田媛 |
| 地址: | 528000 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 防串擾 顯示 陣列 顯示裝置 | ||
本申請提供一種防串擾顯示陣列及顯示裝置,該顯示陣列包括:基板;若干個LED器件;多個隔離溝,多個隔離溝將若干個LED器件分隔并形成多個臺階;若干個隔離槽,隔離溝和隔離槽中的一個沿行方向延伸,另一個沿列方向延伸,多個隔離溝將若干個LED器件和若干個隔離槽分割成多行或多列,隔離槽與LED器件間隔排布;多個第一金屬導線;多個第二金屬導線;其中,隔離槽的至少一個端部到相鄰的隔離溝之間留有未刻蝕區,以供沿列或行方向延伸的第一金屬導線或第二金屬導線通過。因此本申請可以同時改善像素間串擾的問題和金屬線斷線的問題。
技術領域
本發明屬于半導體微顯示技術領域,特別涉及一種微顯示陣列及微顯示裝置。
背景技術
Micro-LED(Micro Light Emitting Diode)顯示技術是最新一代的顯示技術,也是最近幾年顯示技術領域的研究熱點。Micro-LED完全采用固態半導體制成技術生產,具有尺寸小、功耗低、反應速度快、對比度大、色彩飽和度高等優點,其像素尺寸多在百微米量級以下。
由于半導體微顯示器件的每個LED器件都能夠單獨控制和關閉,使得其能夠獲得純黑畫面以及更好的對比度。陣列式微顯示屏中,相鄰的兩個像素之間通過隔離溝實現電隔離,參見圖1、2所示。在采用PM驅動方案的Micro LED顯示陣列中,圖1所示的隔離溝設計,可以避免后續制作金屬電極導線時出現金屬斷線的風險,但當部分像素被點亮時,會發生像素間光串擾,即發光像素將某方向上相鄰或附近的像素局部照亮的情況,參見圖3所示。采用圖2所示的隔離溝結構,使每顆LED發光器件的四面均通過隔離溝與其他器件分隔,這種結構可以減少像素間光串擾的問題,但隔離溝的增多,會導致后續制作金屬導線時可能出現金屬斷線的風險,影響芯片可靠性與合格率。
發明內容
本申請的目的在于解決現有技術中無法兼顧改善像素間光串擾與金屬導線斷線的問題,提出一種改進的顯示陣列結構。
為了實現上述發明的目的,本發明采用如下技術方案:一種防串擾顯示陣列,包括:
基板;
若干個LED器件,沿行列方向陣列排布在所述的基板上,各所述的LED器件分別具有第一導電極以及第二導電極;
多個隔離溝,多個所述的隔離溝將若干個所述的LED器件分隔并形成多個臺階;
若干個隔離槽,所述的隔離溝和隔離槽中的一個沿行方向延伸,另一個沿列方向延伸,多個隔離溝將若干個所述的LED器件和若干個隔離槽分割成多行或多列,所述的隔離槽與LED器件間隔排布;
多個第一金屬導線,連接同一列的多個所述的LED器件的第一導電極;
多個第二金屬導線,連接位于同一行的多個所述的LED器件的第二導電極;
其中,所述的隔離槽的至少一個端部到相鄰的隔離溝之間留有未刻蝕區,以供沿列或行方向延伸的第一金屬導線或第二金屬導線通過。
在本申請的一個實施例中,所述的隔離槽的長度大于相鄰兩個隔離溝之間距離的1/2。
在本申請的一個實施例中,所述的隔離溝沿著行方向延伸,所述的隔離槽沿著列方向延伸,且所述的隔離槽具有一個與所述的隔離溝相連的縱向延伸部。
在本申請的一個實施例中,所述的隔離槽還包括末端部,所述的末端部在行方向上的寬度大于等于所述的縱向延伸部的寬度。
在本申請的一個實施例中,所述的隔離槽還包括末端部,所述的末端部在行方向上的寬度小于所述的縱向延伸部的寬度。
在本申請的一個實施例中,所述的隔離槽還包括末端部以及與所述的末端部相連的橫向延伸部,所述的末端部在行方向上的寬度小于所述的縱向延伸部的寬度。
在本申請的一個實施例中,所述的隔離槽在行列方向所在的平面上的投影呈一個或多個相連的紡錘形、長圓形、波浪形中的一種。
在本申請的一個實施例中,所述的隔離槽由多個淺槽堆疊形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





