[發明專利]一種KNNS-BNZ+CuO壓電陶瓷材料及其制備方法、應用在審
| 申請號: | 202111669999.5 | 申請日: | 2021-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN114478006A | 公開(公告)日: | 2022-05-13 |
| 發明(設計)人: | 張斗;遲文潮;周學凡;鄒金住 | 申請(專利權)人: | 中南大學 |
| 主分類號: | C04B35/495 | 分類號: | C04B35/495;C04B35/622;C04B41/88;H01L41/187;H01L41/43 |
| 代理公司: | 成都東恒知盛知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 51304 | 代理人: | 李英 |
| 地址: | 410083 *** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 knns bnz cuo 壓電 陶瓷材料 及其 制備 方法 應用 | ||
本發明屬于功能陶瓷材料領域,具體公開了一種KNNS?BNZ+CuO壓電陶瓷材料及其制備方法、應用,具有以下化學式的固溶陶瓷材料:(1?x)[0.95(K0.5Na0.5)(Nb0.95Sb0.05)O3?0.05Bi0.5Na0.5ZrO3]+xCuO;其中,x=0.002~0.02。本發明還提供了所述材料的制備和應用,通過制備KNNS?BNZ粉末以及CuO對KNNS?BNZ進行固溶摻雜,有助于改善制得的產物的致密性、降低缺陷。本發明研究發現,所述的全新的KNN基壓電陶瓷材料具有良好的壓電系數d33、機械品質因數Qm,本發明的KNNS?BNZ+CuO壓電陶瓷材料適于高頻下的壓電器件應用。
技術領域
本發明涉及無鉛壓電陶瓷技術領域,具體涉及一種KNNS-BNZ+CuO壓電陶瓷材料及其制備方法、應用。
背景技術
功能材料中,壓電材料可以實現電能和機械能的相互轉換,是許多電子元器件的關鍵組件,如傳感器、微位移器、驅動器、換能器和能量收集器等。壓電性能和機械品質因數在實際應用中至關重要。在無鉛壓電陶瓷材料中,鈮酸鉀鈉(K0.5Na0.5NbO3,KNN)基壓電材料具有高壓電系數(d33~500pC/N)、低的矯頑場(Ec~10kV/cm)和高的居里溫度(Tc=410℃)等,壓電應用前景良好。為了提高d33,一般是在KNN基壓電材料的A/B離子位進行摻雜取代,從而在室溫下實現多相共存結構,最終獲得優化的電學性能。近幾年來,隨著KNN基壓電陶瓷的壓電性能和溫度穩定性的不斷提高,在壓電性能方面,已經達到甚至超過商業用PZT3、PZT 4(d33~500pC/N),有望在壓電性能要求較高的傳感器等壓電器件實現應用。但KNN基壓電陶瓷獲得較高壓電性能的同時,機械品質因數Qm較低(~30-50),難以滿足高功率和高頻率型器件的應用要求,如超聲霧化器等。因此亟需尋求一種能夠提升Qm而不會過度損害d33的有效方法。
發明內容
為解決現有技術中存在的問題,本發明提供了一種KNNS-BNZ+CuO壓電陶瓷材料及其制備方法、應用,通過采用CuO對KNNS-BNZ進行固溶摻雜,并進一步基于CuO含量的控制,提供了一種兼顧良好壓電系數d33、機械品質因數Qm的新KNN基壓電陶瓷材料,解決了上述背景技術中提到的問題。
為實現上述目的,本發明提供如下技術方案:一種KNNS-BNZ+CuO壓電陶瓷材料,所述壓電陶瓷材料的化學式為:(1-x)[0.95(K0.5Na0.5)(Nb0.95Sb0.05)O3-0.05Bi0.5Na0.5ZrO3]+xCuO;其中,x=0.002~0.02;
所述壓電陶瓷材料通過添加CuO含量,其陶瓷壓電系數d33為269pC/N;其陶瓷機械品質因數Qm由33提升至168.7。
優選的,所述的壓電陶瓷材料的化學式為:(1-x)[0.95(K0.5Na0.5)(Nb0.95Sb0.05)O3-0.05Bi0.5Na0.5ZrO3]+xCuO;其中,x=0.008~0.01。
為實現上述目的,本發明還提供如下技術方案:一種KNNS-BNZ+CuO壓電陶瓷材料的制備方法,包括如下步驟:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中南大學,未經中南大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111669999.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





