[發(fā)明專利]一種原子級可調(diào)二維MoSSe納米片及其制備和應(yīng)用

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111664554.8
• 申請日: 2021-12-31
• 公開（公告）號: CN114314527A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 熊小山;張峻;陳超
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州電子科技大學(xué)
• 主分類號: C01B19/00
• 分類號: C01B19/00;C02F1/30;B01J27/057;B01J35/08;C02F101/30;C02F101/34;C02F101/36;C02F101/38
• 代理公司: 杭州君度專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33240
• 代理人: 朱亞冠

1.一種原子級可調(diào)二維MoSSe納米片的制備方法，其特征在于該方法具體是：

步驟(1)、將(NH₄)₂MoO₄·2H₂O、Na₂SeO₃、硫代乙酰胺、水合肼、十六烷基苯磺酸鈉、乙醇和水按照質(zhì)量比2：(1～3)：(1～3)：(2～4)：(4～6)：30：30混合，置于水熱反應(yīng)釜中進(jìn)行水熱反應(yīng)；其中水熱反應(yīng)溫度為160～200℃，恒溫時(shí)間為18～24小時(shí)；

步驟(2)、將水熱反應(yīng)后的固液混合物進(jìn)行固液離心分離，倒出液態(tài)產(chǎn)物，將固態(tài)產(chǎn)物取出，用去離子水、酒精交替洗滌多次烘干；

步驟(3)、將烘干后產(chǎn)物研磨成粉末，得到原子級可調(diào)二維MoSSe納米片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種原子級可調(diào)二維MoSSe納米片的制備方法，其特征在于步驟(2)中洗滌次數(shù)為3次。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種原子級可調(diào)二維MoSSe納米片的制備方法，其特征在于步驟(2)中烘干溫度為70～80℃，烘干時(shí)間為4～6小時(shí)。

4.一種原子級可調(diào)二維MoSSe納米片，呈現(xiàn)三維花球狀結(jié)構(gòu)，由若干卷曲折疊的原子級可調(diào)二維MoSSe納米片構(gòu)成，其特征在于采用權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的方法制備得到。

5.權(quán)利要求4所述的一種原子級可調(diào)二維MoSSe納米片在光催化降解染料中的應(yīng)用。

6.權(quán)利要求4所述的一種原子級可調(diào)二維MoSSe納米片在光催化降解抗生素中的應(yīng)用。

7.權(quán)利要求4所述的一種原子級可調(diào)二維MoSSe納米片在光電化學(xué)光電流響應(yīng)中的應(yīng)用。