[發(fā)明專利]一種可有效避免碲鎘汞紅外探測(cè)器芯片邊角裂紋的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111664539.3
• 申請(qǐng)日: 2021-12-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114300582A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 龔漢紅;陳世銳;陳路;杜宇;毛劍宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江玨芯微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/0236
• 代理公司: 濟(jì)南聯(lián)合竟成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 37371
• 代理人: 倫文知

1.一種可有效避免碲鎘汞紅外探測(cè)器芯片邊角裂紋的方法，其特征是：它包括如下步驟：

S1：對(duì)碲鎘汞芯片的正面和/或背面進(jìn)行接近式光刻，使碲鎘汞芯片的正面和/或背面周邊產(chǎn)生至少一圈邊框圖形；

S2：將光刻后的碲鎘汞芯片通過(guò)濕法腐蝕的工藝手段，使步驟S1中的邊框圖形轉(zhuǎn)移至碲鎘汞芯片的正面和/或背面，將碲鎘汞芯片正面和/或背面中位于芯片有效成像區(qū)域周圍的碲鎘汞材料進(jìn)行腐蝕并在邊框圖形位置形成凹槽；

S3：凹槽腐蝕完畢，清洗后將碲鎘汞芯片進(jìn)行下一步芯片工序。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可有效避免碲鎘汞紅外探測(cè)器芯片邊角裂紋的方法，其特征是：所述凹槽的寬度為1μm～200μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可有效避免碲鎘汞紅外探測(cè)器芯片邊角裂紋的方法，其特征是：所述碲鎘汞芯片正面的凹槽深度為1μm～50μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可有效避免碲鎘汞紅外探測(cè)器芯片邊角裂紋的方法，其特征是：所述碲鎘汞芯片正面的凹槽深度為20μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可有效避免碲鎘汞紅外探測(cè)器芯片邊角裂紋的方法，其特征是：所述碲鎘汞芯片背面的凹槽深度為碲鎘汞芯片的外延層厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可有效避免碲鎘汞紅外探測(cè)器芯片邊角裂紋的方法，其特征是：所述邊框圖形為矩形或類矩形，與之對(duì)應(yīng)，所述凹槽為矩形凹槽或類矩形凹槽。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可有效避免碲鎘汞紅外探測(cè)器芯片邊角裂紋的方法，其特征是：所述類矩形凹槽為在矩形凹槽的四角倒外圓角、倒內(nèi)圓角、倒直角或倒斜角。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可有效避免碲鎘汞紅外探測(cè)器芯片邊角裂紋的方法，其特征是：所述類矩形凹槽為矩形凹槽的邊緣為波浪形、矩形輪齒形或鋸齒形。