[發明專利]一種鈍化接觸結構的制備方法及應用方法

有效

• 申請號: 202111661840.9
• 申請日: 2021-12-30
• 公開（公告）號: CN114335250B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: 全成;陳嘉;杜哲仁;劉榮林;薛登帥;丁東;王小磊
• 申請（專利權）人: 泰州中來光電科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224
• 代理公司: 北京金之橋知識產權代理有限公司 11137
• 代理人: 文智霞;朱黎光

1.一種鈍化接觸結構的制備方法，其特征在于，包括以下制備步驟：

步驟S1，對硅襯底進行微結構形貌處理；

步驟S2，再在硅襯底的表面制備隧穿氧化層；

步驟S3，使用中間為空心的第一載板裝載所述硅襯底，使隧穿氧化層的表面朝向第一載板的空心區域，再采用PVD法以向上沉積方式在所述隧穿氧化層的表面沉積第一摻雜非晶硅層；

步驟S4，使用圖案化鏤空的第二載板裝載所述硅襯底，且所述第一摻雜非晶硅層朝下，以使所述第二載板局部掩蓋第一摻雜非晶硅層的表面，再采用PVD法以向上沉積方式在第二載板的圖案化鏤空區域對應的第一摻雜非晶硅層的表面選擇性沉積第二摻雜非晶硅層；

步驟S5，再對沉積后的硅襯底進行高溫處理，以使所述第一摻雜非晶硅層和第二摻雜非晶硅層的非晶硅晶化成多晶硅，并使摻雜原子進行擴散，以在僅沉積第一摻雜非晶硅層的區域形成第一摻雜區，并在沉積第一摻雜非晶硅層和第二摻雜非晶硅層的區域形成第二摻雜區；

所述第二載板的圖案化鏤空區域設置有依次排布的多個開口，開口個數為50～300個、寬度為20～200μm；

所述第一摻雜區的多晶硅的厚度為20～100nm，摻雜濃度為1E19～2E20.cm^-3；所述第二摻雜區的多晶硅的厚度為50～200nm，摻雜濃度為5E19～8E20.cm^-3。

2.根據權利要求1所述的一種鈍化接觸結構的制備方法，其特征在于，所述步驟S3和步驟S4中，所述PVD法為磁控濺射法、電子束蒸發法或熱蒸鍍法。

3.根據權利要求2所述的一種鈍化接觸結構的制備方法，其特征在于，所述步驟S3和步驟S4中，所述PVD法為磁控濺射法。

4.根據權利要求3所述的一種鈍化接觸結構的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，磁控濺射法的制備條件為：安裝本征硅靶材，以氬氣為保護氣，以含摻雜原子的氣體或靶材為摻雜源，反應氣壓為0.2～1Pa，反應溫度為150～350℃，反應時間為0.5～30min，摻雜源與氬氣比例為3～20%。

5.根據權利要求3所述的一種鈍化接觸結構的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，磁控濺射法的制備條件為：安裝本征硅靶材，以氬氣為保護氣，以含摻雜原子的氣體或靶材為摻雜源，反應氣壓為0.2～1Pa，反應溫度為150～350℃，反應時間為1～30min，摻雜源與氬氣比例為3～30%。

6.根據權利要求1所述的一種鈍化接觸結構的制備方法，其特征在于，所述第一載板與第二載板的長度和寬度大小一致，且第一載板的空心區域與第二載板的圖案化鏤空區域的長度和寬度大小一致。

7.根據權利要求1-6任意一項所述的一種鈍化接觸結構的制備方法，其特征在于，所述第一摻雜區的多晶硅的厚度和摻雜濃度均小于第二摻雜區的多晶硅的厚度和摻雜濃度。

8.一種鈍化接觸結構在太陽能電池中的應用方法，其特征在于，所述鈍化接觸結構為權利要求1-7任意一項所述的一種鈍化接觸結構的制備方法制得，其應用步驟包括：

步驟S6，在所述鈍化接觸結構的表面制備鈍化層；

步驟S7，在所述第二摻雜區對應的鈍化層的表面印刷電極漿料，再經高溫燒結，以形成接觸第二摻雜區的金屬電極，即得所述太陽能電池。