[發明專利]具有熱增強的三維IC封裝

在審

• 申請號: 202111661804.2
• 申請日: 2021-12-30
• 公開（公告）號: CN114334949A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 權云星;魏小進;馬德胡蘇丹·K·延加爾;特克久·康
• 申請（專利權）人: 谷歌有限責任公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L23/373;H01L23/367;H01L21/50
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 周亞榮;鄧聰惠

1.一種集成電路內核，包括：

襯底；

溫度控制元件，所述溫度控制元件形成在所述襯底的第一側上；以及

多個設備結構，所述多個設備結構形成在所述襯底的第二側上，其中所述溫度控制元件被形成為所述集成電路內核的整體部分。

2.根據權利要求1所述的集成電路內核，其中，所述第一側與所述第二側相對。

3.根據權利要求1所述的集成電路內核，包括：

活化層，所述活化層形成在所述多個設備結構與所述溫度控制元件之間。

4.根據權利要求1所述的集成電路內核，其中，所述溫度控制元件包括：

多個通孔，所述多個通孔形成在基底結構中。

5.根據權利要求4所述的集成電路內核，其中，所述多個通孔是具有嵌入在所述基底結構中的端部的盲通孔。

6.根據權利要求4所述的集成電路內核，其中，所述多個通孔是具有形成在所述基底結構的外表面處的兩個端部的開放通孔。

7.根據權利要求4所述的集成電路內核，還包括：

散熱材料，所述散熱材料設置在所述基底結構中的所述多個通孔中。

8.根據權利要求7所述的集成電路內核，其中，所述散熱材料包括導電材料、陶瓷材料、金屬-陶瓷復合材料、金屬合金材料、半導體材料、石墨、金剛石和有機材料中的至少一種。

9.根據權利要求4所述的集成電路內核，其中，所述多個通孔包括：

第一組通孔，所述第一組通孔形成在所述基底結構的邊緣部分中、具有第一間距密度；以及

第二組通孔，所述第二組通孔形成在所述基底結構的中央部分中、具有不同于所述第一間距密度的第二間距密度。

10.根據權利要求4所述的集成電路內核，其中，所述基底結構包括硅。

11.根據權利要求1所述的集成電路內核，其中，所述集成電路內核是專用集成電路(ASIC)。

12.一種集成電路封裝，包括：

集成電路內核，所述集成電路內核設置在封裝襯底上，其中，所述集成電路內核具有設置在所述封裝襯底的第一側上的溫度控制元件以及形成在所述封裝襯底的第二側上的多個設備；

一個或多個存儲器堆疊，所述一個或多個存儲器堆疊與所述集成電路內核相鄰形成在所述封裝襯底上；以及

熱分配設備，所述熱分配設備設置在所述集成電路內核上。

13.根據權利要求12所述的集成電路封裝，其中，所述溫度控制元件具有面向所述熱分配設備的上表面以及面向所述封裝襯底的所述第一側的下表面。

14.根據權利要求12所述的集成電路封裝，其中，所述溫度控制元件包括形成在基底結構中的多個通孔。

15.根據權利要求14所述的集成電路封裝，其中，所述溫度控制元件包括設置在所述基底結構中的所述多個通孔中的散熱材料。

16.根據權利要求15所述的集成電路封裝，其中，所述散熱材料包括導電材料、陶瓷材料、金屬-陶瓷復合材料、金屬合金材料、半導體材料、石墨、金剛石和有機材料中的至少一種。

17.根據權利要求14所述的集成電路封裝，其中，所述多個通孔包括：

第一組通孔，所述第一組通孔形成在所述基底結構的邊緣部分中、具有第一間距密度；以及

第二組通孔，所述第二組通孔形成在所述基底結構的中央部分中、具有不同于所述第一間距密度的第二間距密度。