[發(fā)明專利]具有熱增強(qiáng)的三維IC封裝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111661804.2
• 申請(qǐng)日: 2021-12-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114334949A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 權(quán)云星;魏小進(jìn);馬德胡蘇丹·K·延加爾;特克久·康
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 谷歌有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L25/18
• 分類號(hào): H01L25/18;H01L23/373;H01L23/367;H01L21/50
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 周亞榮;鄧聰惠

1.一種集成電路內(nèi)核，包括：

襯底；

溫度控制元件，所述溫度控制元件形成在所述襯底的第一側(cè)上；以及

多個(gè)設(shè)備結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)設(shè)備結(jié)構(gòu)形成在所述襯底的第二側(cè)上，其中所述溫度控制元件被形成為所述集成電路內(nèi)核的整體部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路內(nèi)核，其中，所述第一側(cè)與所述第二側(cè)相對(duì)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路內(nèi)核，包括：

活化層，所述活化層形成在所述多個(gè)設(shè)備結(jié)構(gòu)與所述溫度控制元件之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路內(nèi)核，其中，所述溫度控制元件包括：

多個(gè)通孔，所述多個(gè)通孔形成在基底結(jié)構(gòu)中。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路內(nèi)核，其中，所述多個(gè)通孔是具有嵌入在所述基底結(jié)構(gòu)中的端部的盲通孔。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路內(nèi)核，其中，所述多個(gè)通孔是具有形成在所述基底結(jié)構(gòu)的外表面處的兩個(gè)端部的開(kāi)放通孔。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路內(nèi)核，還包括：

散熱材料，所述散熱材料設(shè)置在所述基底結(jié)構(gòu)中的所述多個(gè)通孔中。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路內(nèi)核，其中，所述散熱材料包括導(dǎo)電材料、陶瓷材料、金屬-陶瓷復(fù)合材料、金屬合金材料、半導(dǎo)體材料、石墨、金剛石和有機(jī)材料中的至少一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路內(nèi)核，其中，所述多個(gè)通孔包括：

第一組通孔，所述第一組通孔形成在所述基底結(jié)構(gòu)的邊緣部分中、具有第一間距密度；以及

第二組通孔，所述第二組通孔形成在所述基底結(jié)構(gòu)的中央部分中、具有不同于所述第一間距密度的第二間距密度。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路內(nèi)核，其中，所述基底結(jié)構(gòu)包括硅。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路內(nèi)核，其中，所述集成電路內(nèi)核是專用集成電路(ASIC)。

12.一種集成電路封裝，包括：

集成電路內(nèi)核，所述集成電路內(nèi)核設(shè)置在封裝襯底上，其中，所述集成電路內(nèi)核具有設(shè)置在所述封裝襯底的第一側(cè)上的溫度控制元件以及形成在所述封裝襯底的第二側(cè)上的多個(gè)設(shè)備；

一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器堆疊，所述一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器堆疊與所述集成電路內(nèi)核相鄰形成在所述封裝襯底上；以及

熱分配設(shè)備，所述熱分配設(shè)備設(shè)置在所述集成電路內(nèi)核上。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的集成電路封裝，其中，所述溫度控制元件具有面向所述熱分配設(shè)備的上表面以及面向所述封裝襯底的所述第一側(cè)的下表面。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的集成電路封裝，其中，所述溫度控制元件包括形成在基底結(jié)構(gòu)中的多個(gè)通孔。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的集成電路封裝，其中，所述溫度控制元件包括設(shè)置在所述基底結(jié)構(gòu)中的所述多個(gè)通孔中的散熱材料。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的集成電路封裝，其中，所述散熱材料包括導(dǎo)電材料、陶瓷材料、金屬-陶瓷復(fù)合材料、金屬合金材料、半導(dǎo)體材料、石墨、金剛石和有機(jī)材料中的至少一種。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的集成電路封裝，其中，所述多個(gè)通孔包括：

第一組通孔，所述第一組通孔形成在所述基底結(jié)構(gòu)的邊緣部分中、具有第一間距密度；以及

第二組通孔，所述第二組通孔形成在所述基底結(jié)構(gòu)的中央部分中、具有不同于所述第一間距密度的第二間距密度。