[發明專利]一種雙根分控提高葡萄果實品質的方法

有效

• 申請號: 202111657094.6
• 申請日: 2021-12-30
• 公開（公告）號: CN114391383B
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發明（設計）人: 張志昌;董世云;程晨晨;戚立華;馮圓圓;李勃;管雪強;孔祥菊;劉增娟
• 申請（專利權）人: 山東志昌農業科技發展股份有限公司;青島志昌種業有限公司;志昌智慧農業科技股份有限公司
• 主分類號: A01G2/30
• 分類號: A01G2/30;A01G17/02;A01C21/00;A01G24/28;A01G24/23;A01G24/15;A01G24/20;A01C23/00;A01C23/02;G16Y10/05;G16Y20/10;G16Y40/10;G16Y40/30
• 代理公司: 青島科通知橋知識產權代理事務所(普通合伙) 37273
• 代理人: 張曉

1.一種雙根分控提高葡萄果實品質的方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)在兩個控根器中分別植入A型砧木和B型砧木，所述A型砧木為生產旺盛的砧木，所述B型砧木為促早熟、生長勢弱的砧木；

(2)待A型砧木與B型砧木高度長至80-120cm，通過橋接的方式將A型砧木和B型砧木連接成一體，在嫁接成活后，將A型砧木從愈合部上端剪斷除去，保留B型砧木繼續生長，形成葡萄樹主干，并進行整形修剪；

(3)在B型砧木上嫁接鮮食葡萄品種C；

(4)嫁接后葡萄樹采用棚架式進行栽培管理；

(5)對嫁接后葡萄樹進行生長調控，采用智慧農業物聯網系統對所述A型砧木和所述B型砧木在葡萄的各生育時期進行不同的肥水管理；

步驟(5)中所述葡萄樹的生長調控方法，包括以下步驟：

(51)當年橋接定型的葡萄幼樹以促進營養生長為主，使其快速成型，肥水的管理均按照常規栽培技術進行，做到前促、中壯、后控；

(52)第二年后采用以下步驟進行調控：

(521)在葡萄萌芽至開花前時期:所述A型砧木和B型砧木的水分含量保持在基質持水量的70％-80％之間；此期均以速效型水溶性氮、磷肥為主，根據基質肥力及葡萄營養需求定量進行灌溉施肥；

(522)在葡萄開花期至坐果期:控制棚內溫度白天22～26℃之間，夜間15～20℃之間；所述A型砧木和B型砧木的水分含量保持在基質持水量的60％-70％之間，此期以磷、鉀肥為主，B型砧木噴施硼、鋅微量元素肥料，根據基質肥力及葡萄營養需求定量進行灌溉施肥；

(523)幼果膨大期：所述A型砧木和B型砧木均保持基質持水量的70％-80％之間；該時期施肥均以磷、鉀肥為主，根據基質肥力及葡萄營養需求定量進行灌溉施肥；

(524)果實著色至成熟期：勤通風，棚內溫度控制在28～32℃之間；所述A型砧木和B型砧木施肥均以磷、鉀肥為主，所述B型砧木進行輕度控水應保持基質持水量的55％-65％，所述A型砧木進行重度控水應保持基質持水量的40％-50％，根據基質肥力及葡萄營養需求定量進行灌溉施肥；

(525)采收后至落葉期：秋季果實采收后，根據當年結果量和樹體長勢對所述A型砧木和B型砧木施以腐熟的畜禽糞肥，基肥用量為全年總施肥量的50％-70％；

所述A型砧木包括SO4、5BB、1103P多抗性砧木品種，所述B型砧木包括101-14MG、3309C砧木。

2.根據權利要求1所述的一種雙根分控提高葡萄果實品質的方法，其特征在于，步驟(3)中所述鮮食葡萄品種C的嫁接方式為有干承載嫁接，在步驟(2)葡萄樹主干的側枝處設嫁接口嫁接鮮食葡萄品種C。

3.根據權利要求2所述的一種雙根分控提高葡萄果實品質的方法，其特征在于，在步驟(2)中葡萄樹主干的其他側枝處設嫁接口嫁接其他鮮食葡萄品種。

4.根據權利要求1所述的一種雙根分控提高葡萄果實品質的方法，其特征在于，步驟(3)中所述鮮食葡萄品種C的嫁接方式為截干嫁接，在步驟(2)葡萄樹主干嫁接鮮食葡萄品種C，截干嫁接枝條干長根據占地面積自行調節。

5.根據權利要求1所述的一種雙根分控提高葡萄果實品質的方法，其特征在于，步驟(4)中葡萄樹的株行距為3m×3m，采用滲灌的方式施水肥。

6.根據權利要求1所述的一種雙根分控提高葡萄果實品質的方法，其特征在于，所述控根器中基質包括草炭土、鋸末、珍珠巖、腐熟畜禽糞肥，所述控根器中基質配比為草炭土：鋸末+珍珠巖：腐熟畜禽糞肥＝1：1：1。

7.根據權利要求1所述的一種雙根分控提高葡萄果實品質的方法，其特征在于，所述智慧農業物聯網系統包括空氣傳感器、土壤傳感器、滲灌管、水肥運輸系統和控制系統，所述控制系統根據空氣傳感器、土壤傳感器采集的數據控制水肥輸送系統中水肥從滲灌管進入基質，所述控根器的基質從上到下均勻地設有若干組滲灌管，所述土壤傳感器分層設于控根器的基質內，所述空氣傳感器設于葉幕層。

8.根據權利要求7所述的一種雙根分控提高葡萄果實品質的方法，其特征在于，所述控根器內的基質上方設有無滴防水膜。