[發明專利]監測晶圓雜質的方法

在審

• 申請號: 202111656770.8
• 申請日: 2021-12-30
• 公開（公告）號: CN114334697A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 徐敏;陳雷剛;朱月芹
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

本發明提供了一種監測晶圓雜質的方法，包括：將所有N型阱區串聯；將所有P型阱區串聯；向所述P型阱區施加測試電壓，所述N型阱區接地，測得所述P型阱區的電流，或者向所述N型阱區施加測試電壓，所述P型阱區接地，測得所述N型阱區的電流；若測得的所述N型阱區的電流或者所述P型阱區的電流的電流發生突變，則認為所述晶圓包含雜質。相對于現有技術，采用本發明的檢測晶圓雜質的方法，可以在制作P型阱區、N型阱區后即可檢測出晶圓是否包含雜質，提前發現不良品，防止產品出現早夭的情況，同時，提前發現了不良品，也可以減少浪費的時間。

技術領域

本發明涉及半導體測試技術領域，尤其是涉及一種監測晶圓雜質的方法。

背景技術

在晶圓硅片的制造工藝過程中，由于管控問題，可能導致某種或多種金屬雜質留存在晶圓硅片內，例如，納離子、鐵離子和鉻離子等等，但在出廠前也并沒有清洗干凈，甚至會出現某種或多種金屬雜質。于是到了下游晶圓片廠做晶體管過程中，由于金屬雜質的存在，會在有源區內或者淺溝槽隔離結構中發現小方塊凸起等異常。

現有技術，需要整個器件制作完成或者進行到柵氧化層后面的工藝中，才會通過切片或者其他功能測試，找到金屬雜質的問題，但是此時，不但浪費了很多時間，并且可能導致產品早夭的情況發生。

發明內容

本發明的目的在于提供一種監測晶圓雜質的方法，可以及時監測到晶圓的雜質，提前選出不良品進行處理，減少浪費的時間，同時，防止產品早夭的情況發生。

為了達到上述目的，本發明提供了一種監測晶圓雜質的方法，晶圓內具有N型阱區、P型阱區以及位于所述N型阱區和P型阱區之間的隔離結構，包括：

將所有N型阱區串聯；

將所有P型阱區串聯；

向所述P型阱區施加測試電壓，所述N型阱區接地，測得所述P型阱區的電流，或者向所述N型阱區施加測試電壓，所述P型阱區接地，測得所述N型阱區的電流；

若測得的所述N型阱區的電流或者所述P型阱區的電流的電流發生突變，且此時的測試電壓大于設定的電壓，則認為所述晶圓包含雜質。

可選的，在所述的監測晶圓雜質的方法中，將所有P型阱區串聯的方法包括：通過第一金屬層將所有P型阱區串聯。

可選的，在所述的監測晶圓雜質的方法中，將所有N型阱區串聯的方法包括：通過第二金屬層將所有N型阱區串聯。

可選的，在所述的監測晶圓雜質的方法中，向所述P型阱區施加測試電壓的方法包括：設置第一測試焊盤，所述第一測試焊盤與所述第一金屬層連通；向所述第一測試焊盤上施加測試電壓。

可選的，在所述的監測晶圓雜質的方法中，向所述N型阱區施加測試電壓的方法包括：設置第二測試焊盤，所述第二測試焊盤與所述第二金屬層連通；向所述第二測試焊盤上施加測試電壓。

可選的，在所述的監測晶圓雜質的方法中，向所述P型阱區施加的測試電壓為sweep電壓。

可選的，在所述的監測晶圓雜質的方法中，所述施加的測試電壓小于-12V。

可選的，在所述的監測晶圓雜質的方法中，向所述N型阱區施加的測試電壓為sweep電壓。

可選的，在所述的監測晶圓雜質的方法中，所述施加的測試電壓小于-12V。

可選的，在所述的監測晶圓雜質的方法中，所述雜質包括附在N型阱區或P型阱區內以及位于隔離結構內的金屬顆粒。