[發明專利]納米圖形襯底的制備方法有效
| 申請號： | 202111651524.3 | 申請日： | 2021-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN114300588B | 公開（公告）日： | 2023-09-26 |
| 發明（設計）人： | 劉寧煬;李祈昕;楊榮宜;曾昭燴;任遠;何晨光;陳志濤 | 申請（專利權）人： | 廣東省科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京商專永信知識產權代理事務所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 李彬彬;陳莉娥 |
| 地址： | 510651 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 圖形 襯底 制備 方法 | ||
1.納米圖形襯底的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S10：在透明襯底上依次制備透光層和不透光層；
S20：在所述不透光層上制備具有第一孔洞的第一掩膜，所述第一孔洞將所述不透光層的上表面與外部連通；
S30：在所述不透光層的位于所述第一孔洞的下方制備錐臺形的第二孔洞，所述第二孔洞將所述透光層的上表面與外部連通；
S40：在所述透光層的位于所述第二孔洞的下方制備第三孔洞，所述第三孔洞將所述透明襯底的上表面與外部連通；
S50：去除第一掩膜，形成第一坯體；
S60：在所述第二孔洞和第三孔洞中制備第二掩膜；
S70：對所述不透光層進行刻蝕，以在所述第二孔洞的外周形成縱截面為錐形的第一凸起；
S80：將所述透光層的未覆蓋不透光層的部分完全刻蝕，形成第四孔洞，以使在所述透明襯底上的透光層形成位于所述第一凸起下方的第二凸起；
S90：去除所述第二掩膜。
2.根據權利要求1所述的納米圖形襯底的制備方法，其特征在于，所述不透光層采用能夠通過各向異性腐蝕工藝進行刻蝕的材料制成。
3.根據權利要求2所述的納米圖形襯底的制備方法，其特征在于，所述透光層采用能夠通過選擇性刻蝕去除的材料制成。
4.根據權利要求3所述的納米圖形襯底的制備方法，其特征在于，所述透明襯底、透光層和不透光層共同構成SOI層。
5.根據權利要求4所述的納米圖形襯底的制備方法，其特征在于，所述在所述不透光層上制備錐臺形的第二孔洞實現為包括：
通過各向異性濕法腐蝕對所述不透光層進行刻蝕，以在所述不透光層的位于所述第一孔洞的下方制備出第二孔洞；其中，所述各向異性濕法腐蝕采用的腐蝕液為TMAH或KOH。
6.根據權利要求1所述的納米圖形襯底的制備方法，其特征在于，所述第二孔洞在所述不透光層上周期排布，且所述周期為微米級或納米級。
7.根據權利要求1至6任一項所述的納米圖形襯底的制備方法，其特征在于，所述在所述第二孔洞和第三孔洞中制備第二掩膜實現為包括：
在所述第一坯體的背離所述透明襯底的表面制作光刻膠層，制作所述光刻膠層的材料為負性光刻膠；
對所述光刻膠層的曝光處理在所述透明襯底的底面側進行，以去除所述第二孔洞和第三孔洞以外的光刻膠層，覆蓋在所述第二孔洞和第三孔洞中的光刻膠層形成所述第二掩膜。
8.根據權利要求7所述的納米圖形襯底的制備方法，其特征在于，所述對所述不透光層進行刻蝕，以在所述第二孔洞的外周形成縱截面為錐形的第一凸起采用的刻蝕工藝為各向異性腐蝕。
9.根據權利要求7所述的納米圖形襯底的制備方法，其特征在于，所述將所述透光層的未覆蓋不透光層的部分完全刻蝕，形成第四孔洞，以使在所述透明襯底上的透光層形成位于所述第一凸起下方的第二凸起采用的刻蝕工藝為選擇性刻蝕。
10.根據權利要求7所述的納米圖形襯底的制備方法，其特征在于，在步驟S90之后還包括以下步驟：
S100：去除第一凸起；
S110：通過刻蝕將所述第二凸起圖形轉移到所述透明襯底上，在所述透明襯底的上表面形成第一凹槽。
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