[發(fā)明專(zhuān)利]一種用于5G移動(dòng)終端的寬帶、高隔離度的六單元MIMO縫隙天線在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111651432.5 | 申請(qǐng)日: | 2021-12-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114122721A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-03-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王仲根;穆偉東;楊明;聶文艷;歐陽(yáng)名三;李明忠;王攀 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 安徽理工大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01Q1/52 | 分類(lèi)號(hào): | H01Q1/52;H01Q21/06;H01Q1/00;H01Q1/24 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 232001 安徽*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 移動(dòng) 終端 寬帶 隔離 單元 mimo 縫隙 天線 | ||
1.一種用于5G移動(dòng)終端的寬帶、高隔離度的六單元MIMO縫隙天線,包括一個(gè)介質(zhì)基板,其特征在于,所述長(zhǎng)方體介質(zhì)基板底部設(shè)有一金屬地板,所述地板的表面對(duì)稱(chēng)開(kāi)鑿M個(gè)“T”型槽和N個(gè)類(lèi)“T”型槽;所述介質(zhì)基板的頂部均勻設(shè)有N個(gè)天線單元,每個(gè)天線單元由兩條微帶線,以及地板正對(duì)應(yīng)的類(lèi)“T”型槽構(gòu)成。所述微帶線由金屬材質(zhì)組成,加載在介質(zhì)基板頂部,微帶線結(jié)構(gòu)設(shè)有饋電點(diǎn)。
所述介質(zhì)基板頂部?jī)蓚?cè)的天線單元呈鏡像對(duì)稱(chēng)分布,每一側(cè)天線單元間的距離相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于5G移動(dòng)終端的寬帶、高隔離度的六單元MIMO縫隙天線,其特征在于,所述長(zhǎng)方體作為介質(zhì)基板,微帶線用于天線的饋電,類(lèi)“T”型槽用于天線的阻抗匹配,“T”型槽用于減小天線間的耦合。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于5G移動(dòng)終端的寬帶、高隔離度的六單元MIMO縫隙天線,其特征在于,所述長(zhǎng)方體介質(zhì)基板材質(zhì)為FR4,介電常數(shù)為4.4,長(zhǎng)為150mm,寬為75mm,高度為0.8mm;印刷微帶線的一面為介質(zhì)基板的正面,印刷金屬地板的一面則為介質(zhì)基板的背面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于5G移動(dòng)終端的寬帶、高隔離度的六單元MIMO縫隙天線,其特征在于,所述的兩條微帶線呈“T”型,垂直交替相接組合在為一條“L”型微帶線并沿基板正面均勻?qū)ΨQ(chēng)分布,加載在類(lèi)“T”型槽的上方;第一條靠基板邊緣的微帶線長(zhǎng)度為10.9mm,另一條微帶線的長(zhǎng)度為4mm,所述微帶線的寬度均為2.5mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于5G移動(dòng)終端的寬帶、高隔離度的六單元MIMO縫隙天線,其特征在于,所述類(lèi)“T”型槽由兩個(gè)開(kāi)槽構(gòu)成:一個(gè)槽呈“U”型,長(zhǎng)度為6mm,寬度為4.5mm,其中還有兩個(gè)突出的長(zhǎng)度為1mm,寬度為0.5mm的槽;另一個(gè)是嵌入到“U”型槽中間的“I”型開(kāi)路枝節(jié),與金屬地板邊緣相接,其長(zhǎng)度為4.4mm,寬度為1mm;
“T”型槽沿一側(cè)的天線單元對(duì)稱(chēng)設(shè)置,它由兩部分組成:沿地板長(zhǎng)邊的槽長(zhǎng)11.5mm,寬2mm;沿地板短邊的槽長(zhǎng)7.5mm,寬度為2mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種用于5G移動(dòng)終端的寬帶、高隔離度的六單元MIMO縫隙天線,其特征在于,所述的T型槽的中心與相鄰的類(lèi)“T”型槽的中心間隔為30mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種用于5G移動(dòng)終端的寬帶、高隔離度的六單元MIMO縫隙天線,其特征在于,所述介質(zhì)基板的背面按照地板的結(jié)構(gòu)進(jìn)行覆錫,在介質(zhì)基板的正面按照微帶線結(jié)構(gòu)進(jìn)行覆錫。
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