[發明專利]三維結構的無鉛錫基鈣鈦礦薄膜及其太陽能電池的制備方法在審
| 申請號： | 202111650270.3 | 申請日： | 2021-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN114583061A | 公開（公告）日： | 2022-06-03 |
| 發明（設計）人： | 冉晨鑫;孫楠;高蔚茵;陳永華;黃維 | 申請（專利權）人： | 西北工業大學 |
| 主分類號： | H01L51/48 | 分類號： | H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42 |
| 代理公司： | 西安凱多思知識產權代理事務所(普通合伙) 61290 | 代理人： | 王鮮凱 |
| 地址： | 710072 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 三維 結構 無鉛錫基鈣鈦礦 薄膜 及其 太陽能電池 制備 方法 | ||
1.一種三維結構的無鉛錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于步驟如下：
步驟1、制備前驅體溶液；將甲脒碘鹽、碘化亞錫、甲酰胺碘鹽溶于極性有機溶劑中，同時加入氟化亞錫作為抗氧化劑，攪拌至完全溶解制備無鉛錫基鈣鈦礦前驅體溶液；
所述甲脒碘鹽、碘化亞錫、甲脒碘鹽以及氟化亞錫的摩爾比例為0.9︰1︰0.1︰0.1；
步驟2：在已經沉積有空穴傳輸層的ITO透明導電玻璃基底上，將無鉛錫基鈣鈦礦前驅體溶液旋涂沉積得到無鉛錫基鈣鈦礦薄膜；
步驟3：采用梯度退火的方式，得到三維結構的無鉛錫基鈣鈦礦薄膜。
2.根據權利要求1所述三維結構的無鉛錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于：所述無鉛錫基鈣鈦礦前驅體溶液的濃度為0.7-0.9mmol/mL。
3.根據權利要求1所述三維結構的無鉛錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于：所述極性有機溶劑為N,N-二甲基甲酰胺DMF，二甲基亞砜DMSO中的一種或兩種。
4.根據權利要求1所述三維結構的無鉛錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟2中，采用一步反溶劑旋涂法沉積錫基鈣鈦礦薄膜。
5.根據權利要求4所述三維結構的無鉛錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于：所述反溶劑為氯苯。
6.根據權利要求1所述三維結構的無鉛錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟3梯度退火的方式40℃低溫退火1分鐘后，轉移到100℃下繼續高溫退火10分鐘。
7.一種采用權利要求1～6任一項制備的三維結構的無鉛錫基鈣鈦礦薄膜制備無鉛錫基鈣鈦礦太陽能電池的方法，其特征在于步驟如下：
S1：在干凈的ITO透明導電玻璃基底上旋涂空穴傳輸材料PEDOT：PSS，制備空穴傳輸層；
S2在步驟S1沉積有空穴傳輸層PEDOT:PSS的ITO透明導電玻璃基底上按照權利要求1-4所述制備方法得到的無鉛錫基鈣鈦礦薄膜；
S3在所述無鉛錫基鈣鈦礦薄膜上制備電子傳輸層C60；
S4在電子傳輸層上依次制備空穴阻擋層BCP和金屬Ag電極。
8.根據權利要求7所述三維結構的無鉛錫基鈣鈦礦薄膜制備無鉛錫基鈣鈦礦太陽能電池的方法，其特征在于：所述S1的空穴傳輸層PEDOT：PSS采用溶液旋涂法。
9.根據權利要求7所述三維結構的無鉛錫基鈣鈦礦薄膜制備無鉛錫基鈣鈦礦太陽能電池的方法，其特征在于：所述S3和S4的電子傳輸層C60、空穴阻擋層BCP以及金屬Ag電極采用真空蒸鍍法制備。
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