[發(fā)明專利]一種用于提升LED器件光提取效率的邊際濕法處理方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111643670.1
• 申請日: 2021-12-29
• 公開（公告）號(hào): CN114420815A
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄧信甫;劉大威;陳丁堃
• 申請（專利權(quán)）人: 上海至純潔凈系統(tǒng)科技股份有限公司;至微半導(dǎo)體（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/24
• 分類號(hào): H01L33/24;H01L21/02;H01L21/306
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種用于提升LED器件光提取效率的邊際濕法處理方法，其特征在于，包括：

步驟S1：于一基板上形成多個(gè)所述LED器件；

步驟S2：于所述LED器件的部分表面形成犧牲層，對(duì)所述LED器件進(jìn)行蝕刻，于所述LED器件的側(cè)面形成斜面；

步驟S3：對(duì)所述LED器件采用第一清洗方法進(jìn)行清洗，隨后對(duì)所述LED器件進(jìn)行干燥處理以完成處理過程。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的邊際濕法處理方法，其特征在于，所述步驟S2包括：

步驟S21：于所述LED器件的中心一矩形區(qū)域內(nèi)形成所述犧牲層；

步驟S22：對(duì)所述LED器件采用濕法蝕刻，以去除所述犧牲層以及所述LED器件于所述矩形區(qū)域以外的部分；

步驟S23：對(duì)所述LED器件采用第二清洗方法進(jìn)行清洗，根據(jù)一預(yù)設(shè)的蝕刻面積參數(shù)生成新的所述矩形區(qū)域，返回所述步驟S21，直至所述斜面形成；

新的所述矩形區(qū)域的面積大于原有的所述矩形區(qū)域的面積。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的邊際濕法處理方法，其特征在于，所述基板的材質(zhì)包括藍(lán)寶石、氮化鎵；

所述步驟S2中，所述濕法蝕刻的蝕刻液包括硫酸和磷酸。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的邊際濕法處理方法，其特征在于，所述步驟S23中，所述第二清洗方法包括：

步驟A1：對(duì)所述LED器件采用氨水進(jìn)行清洗；

步驟A2：采用純水沖洗所述LED器件；

步驟A3：將環(huán)境溫度上升至一預(yù)定溫度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的邊際濕法處理方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述第一清洗方法包括：

步驟B1：采用純水沖洗所述LED器件；

步驟B2：采用一酸液清洗所述LED器件；

步驟B3：再次采用所述純水沖洗所述LED器件。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的邊際濕法處理方法，其特征在于，所述步驟B2中，所述酸液為濃度25％～30％的硝酸溶液，所述硝酸溶液的溫度在50℃～100℃之間；

所述步驟B2的清洗時(shí)長在1分鐘～5分鐘。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的邊際濕法處理方法，其特征在于，所述步驟B2中，所述酸液為濃度40％～50％的磷酸溶液，所述磷酸溶液的溫度在170℃～220℃之間；

所述步驟B2的清洗時(shí)長在1分鐘～5分鐘。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的邊際濕法處理方法，其特征在于，所述步驟B3中，所述干燥方法為：

步驟C1：于所述LED器件表面形成一異丙醇薄膜；

步驟C2：注入超臨界態(tài)二氧化碳，以使得所述超臨界態(tài)二氧化碳擴(kuò)散至所述異丙醇薄膜下方；

步驟C3：對(duì)生產(chǎn)環(huán)境減壓以去除異丙醇和二氧化碳。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的邊際濕法處理方法，其特征在于，所述LED器件為矩形，所述斜面形成于所述LED器件的對(duì)邊或周向。