[發明專利]外延層的制備剝離方法及半導體器件制備方法在審
| 申請號： | 202111643318.8 | 申請日： | 2021-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN114497293A | 公開（公告）日： | 2022-05-13 |
| 發明（設計）人： | 常娟雄;黃永;汪瓊;陳財;劉曉磊;邵語嫣;程晨言;王宇軒;李梹激;許琦輝;王霄;楊旭豪 | 申請（專利權）人： | 西安電子科技大學蕪湖研究院 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L21/335;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海駟合知識產權代理有限公司 31405 | 代理人： | 于秀 |
| 地址： | 241002 安徽省蕪湖市弋*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 外延 制備 剝離 方法 半導體器件 | ||
1.一種外延層的制備剝離方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供一襯底，并在所述襯底上依次采用第一生長工藝和第二生長工藝生長犧牲層；所述犧牲層包括所述第一生長工藝下生長的孔洞部和所述第二生長工藝下生長的平整部；
在所述平整部上生長外延層；
使用刻蝕液刻蝕所述犧牲層，將所述外延層從所述襯底上剝離；所述刻蝕液可進入所述孔洞部內的孔洞中進行刻蝕。
2.根據權利要求1所述的外延層的制備剝離方法，其特征在于，所述第一生長工藝和所述第二生長工藝均為在化學氣相沉積反應室中進行，所述第一生長工藝中的溫度低于所述第二生長工藝中的溫度，所述第一生長工藝中的壓力高于所述第二生長工藝中的壓力。
3.根據權利要求2所述的外延層的制備剝離方法，其特征在于，所述外延層的生長為在化學氣相沉積反應室中進行。
4.根據權利要求2所述的外延層的制備剝離方法，其特征在于，所述外延層為GaN層，所述犧牲層為N型摻雜GaN層。
5.根據權利要求4所述的外延層的制備剝離方法，其特征在于，所述第一生長工藝中的溫度為500～900℃，壓力為200-600torr；所述第二生長工藝中的溫度為900-1200℃，壓力為40～200torr。
6.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供一襯底，并在所述襯底上依次采用第一生長工藝和第二生長工藝生長犧牲層；所述犧牲層包括所述第一生長工藝下生長的孔洞部和所述第二生長工藝下生長的平整部；
在所述平整部上生長外延層；
在所述外延層上生長半導體器件功能層；
使用刻蝕液刻蝕所述犧牲層，將所述外延層從所述襯底上剝離；所述刻蝕液可進入所述孔洞部內的孔洞中進行刻蝕。
7.根據權利要求6所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一生長工藝和所述第二生長工藝均為在化學氣相沉積反應室中進行，所述第一生長工藝中的溫度低于所述第二生長工藝中的溫度，所述第一生長工藝中的壓力高于所述第二生長工藝中的壓力。
8.根據權利要求6或7所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，還包括如下步驟：
將所述外延層以及其上的所述半導體器件功能層設置于目標基板上。
9.根據權利要求8所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述半導體器件層包括第一半導體層、第二半導體層、柵極、源極和漏極；所述第一半導體層和所述第二半導體層之間形成有異質結。
10.根據權利要求8所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述半導體器件層包括發光層和電極層。
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