[發(fā)明專(zhuān)利]鰭結(jié)構(gòu)的形成方法及FinFET器件的形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111643230.6
• 申請(qǐng)日: 2021-12-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114334658A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉云珍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司;上海集成電路研發(fā)中心有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/336
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/336;H01L29/10
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種鰭結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底上具有至少兩個(gè)間隔排列的鰭組，每個(gè)所述鰭組內(nèi)包括至少兩個(gè)間隔排列的鰭片，所述鰭組間的間隙大于所述鰭組內(nèi)的鰭片間的間隙；

形成隔離膜，所述隔離膜填充所述鰭組間的間隙以及所述鰭片間的間隙，并覆蓋至所述鰭片的頂面；

形成圖形化的掩模層，所述圖形化的掩模層的開(kāi)口位于所述鰭組間的間隙上方；

利用所述圖形化的掩模層，打斷至少部分所述鰭組間的隔離膜的分子鍵；

對(duì)所述隔離膜執(zhí)行熱處理；

去除預(yù)設(shè)深度的所述隔離膜，以暴露的所述鰭片作為鰭結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述隔離膜采用FCVD工藝形成，打斷至少部分所述鰭組之間的隔離膜的分子鍵的方法包括：

以所述圖形化的掩模層為掩模，對(duì)所述鰭組之間的隔離膜執(zhí)行離子注入工藝以打斷至少部分所述隔離膜的分子鍵，所述離子注入工藝的離子包括惰性氣體離子或至少部分所述隔離膜自身具有元素的離子。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鰭結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述隔離膜的材質(zhì)包括氧化硅、氮氧化硅或碳氮化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鰭結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述離子注入工藝的離子包括惰性氣體離子、硅離子、氧離子、碳離子、氮離子的一種或多種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鰭結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述隔離膜上還形成有硬質(zhì)介質(zhì)層，所述硬質(zhì)介質(zhì)層覆蓋所述隔離膜，所述圖形化的掩模層形成在所述隔離膜上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鰭結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述硬質(zhì)介質(zhì)層后，對(duì)所述硬質(zhì)介質(zhì)層執(zhí)行平坦化工藝，再在所述硬質(zhì)介質(zhì)層上形成所述圖形化的掩模層，所述圖形化的掩模層的開(kāi)口暴露所述鰭組間的間隙上方的硬質(zhì)介質(zhì)層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鰭結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述硬質(zhì)介質(zhì)層的材質(zhì)與所述隔離膜的材質(zhì)相同。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的鰭結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述離子注入工藝的注入劑量范圍為1×10¹⁸atom/cm²～5×10²¹atom/cm²。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的鰭結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述熱處理的工藝氣體包括水汽、氫氣、氧氣及氮?dú)獾囊环N或多種。

10.一種FinFET器件的形成方法，其特征在于，包括：

采用如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的鰭結(jié)構(gòu)的形成方法形成FinFET器件的鰭結(jié)構(gòu)。