[發明專利]一種毫米波天線

有效

• 申請號: 202111642556.7
• 申請日: 2021-12-29
• 公開（公告）號: CN114336026B
• 公開（公告）日: 2023-07-18
• 發明（設計）人: 周彪;孔令甲;王建;許向前;韓玉朝;胡丹;彭同輝;李德才;王玉;尉國生;李璽;邢星;郭鵬磊;岳川;許霞平
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q9/04
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 李榮文

1.一種毫米波天線，其特征在于，包括：第一基片、第二基片以及連接所述第一基片和所述第二基片之間的多個第一高鉛柱和多個第二高鉛柱；

所述第一基片包括相對設置的第一表面和第二表面，在靠近所述第二基片的第二表面上設置圓極化貼片天線，在遠離所述第二基片的第一表面設置寄生貼片；

所述第二基片包括相對設置的第一表面和第二表面，在遠離所述第一基片的第二表面上設置用于對所述圓極化貼片天線饋電的多個同軸饋電點，在靠近所述第一基片的第一表面上設置多個饋點焊盤、并通過設置在所述第二基片上的金屬化通孔與所述同軸饋電點連接；在所述第二基片上還設有多個貫穿其第一表面和第二表面的限位孔，所述限位孔環繞所述金屬化通孔；且在所述第二基片的第一表面覆蓋有接地圖形，其中，所述接地圖形避開所述限位孔和所述饋點焊盤，在所述第二基片的四周邊緣均設有所述限位孔；

所述第一高鉛柱連接在所述饋點焊盤與所述圓極化貼片天線之間，所述第二高鉛柱一端限位于所述第二基片的限位孔內、另一端連接所述第一基片，在所述第一基片與所述第二基片之間形成空氣背腔，所述第一高鉛柱設置在由所述第二高鉛柱圍設成的空氣背腔內。

2.如權利要求1所述的毫米波天線，其特征在于，所述同軸饋電點包括4個，且4個所述同軸饋電點之間的相位分別相差90°，180°，270°；所述第二基片的第一表面對應設有4個所述饋點焊盤。

3.如權利要求2所述的毫米波天線，其特征在于，在20GHz頻段時，所述高鉛柱的高度為1.5~2.5mm。

4.如權利要求2所述的毫米波天線，其特征在于，在30GHz頻段時，所述高鉛柱的高度為1~1.5mm。

5.如權利要求1所述的毫米波天線，其特征在于，所述第一高鉛柱設置在由所述第二高鉛柱圍設成的空氣背腔內，所述空氣背腔為圓柱形腔或直棱柱形腔。

6.如權利要求5所述的毫米波天線，其特征在于，所述第一高鉛柱或第二高鉛柱采用Pb80Sn20材料制作而成，且熔點溫度大于280℃。

7.如權利要求1所述的毫米波天線，其特征在于，所述第一基片或所述第二基片的材質為石英基片、陶瓷基片或PCB板。

8.如權利要求7所述的毫米波天線，其特征在于，所述第一基片為石英基片，且所述石英基片的厚度為0.2~0.5mm；

所述第二基片為陶瓷基片，且所述陶瓷基片的厚度為0.2~0.5mm。

9.如權利要求1所述的毫米波天線，其特征在于，所述第二基片的第二表面還設有多個BGA焊球，所述BGA焊球包括與所述同軸饋電點連接的信號焊球和與所述接地圖形連接的接地焊球。

10.如權利要求1所述的毫米波天線，其特征在于，所述第一基片上的寄生貼片和圓極化貼片天線，所述第二基片上的接地圖形和同軸饋電點均采用薄膜或厚膜工藝制備而成。