[發明專利]一種低介電常數高品質因數的微波介質陶瓷及其制備方法有效
| 申請號： | 202111641899.1 | 申請日： | 2021-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN114163242B | 公開（公告）日： | 2022-11-18 |
| 發明（設計）人： | 劉兵;周夢飛;沙柯;林峰立;宋開新 | 申請（專利權）人： | 杭州電子科技大學 |
| 主分類號： | C04B35/553 | 分類號： | C04B35/553;C04B35/622 |
| 代理公司： | 浙江千克知識產權代理有限公司 33246 | 代理人： | 黎雙華 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 介電常數 品質因數 微波 介質 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
1.一種低介電常數高品質因數的微波介質陶瓷，其特征在于，所述微波介質陶瓷的化學組成表達式為MgAlF5，所述微波介質陶瓷的相對介電常數為6.5～7.7，品質因數
2.根據權利要求1所述的一種低介電常數高品質因數的微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）配料：根據MgAlF5的化學式按照1:1的摩爾計量比稱取MgF2與AlF3原料；
（2）混料：將配料得到的混合原料、無水乙醇進行濕法球磨，得到泥漿狀原料；
（3）烘干：將所述泥漿狀原料烘干至恒重，得到干燥的混合料；
（4）預燒：將所述混合料過篩分散后進行預燒處理，反應后得到MgAlF5粉體；
（5）球磨：向所述MgAlF5粉體中加入無水乙醇，進行二次研磨，形成均勻分散的MgAlF5漿料；
（6）烘干：將所述MgAlF5漿料烘干至恒重，得到MgAlF5化合物粉末；
（7）燒結：將所述MgAlF5化合物粉末壓成生坯，隨后將所述生坯進行燒結處理，得到微波介質陶瓷MgAlF5；
（8）陶瓷表面研磨拋光：將燒結后的所述微波介質陶瓷MgAlF5表面進行研磨拋光。
3.根據權利要求2所述的一種低介電常數高品質因數的微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟（4）中，所述預燒處理溫度為900～1000℃，時間為1~4h。
4.根據權利要求2所述的一種低介電常數高品質因數的微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟（7）中，所述燒結處理的溫度為1100～1175℃，時間為1~4h。
5.根據權利要求3所述的一種低介電常數高品質因數的微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟（4）中，所述預燒處理的升溫速率為5℃/min~10℃/min，所述預燒處理后自然冷卻至室溫。
6.根據權利要求4所述的一種低介電常數高品質因數的微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟（7）中，所述燒結處理的升溫速率為1℃/min~5℃/min。
7.根據權利要求6所述的一種低介電常數高品質因數的微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟（7）中，所述燒結處理后先以1℃/min~5℃/min的速度降溫至800～1000℃，然后自然冷卻至室溫。
8.根據權利要求2所述的一種低介電常數高品質因數的微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）與所述步驟（5）中，球磨珠為ZrO2。
9.根據權利要求8所述的一種低介電常數高品質因數的微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，混合原料、ZrO2球磨珠、無水乙醇溶劑的質量比為1:8:4。
10.根據權利要求2所述的一種低介電常數高品質因數的微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，所述步驟（7）中，所述生坯的壓制壓力為95~100Mpa。
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