[發明專利]用于沉積含硅膜的有機氨基官能化線性和環狀低聚硅氧烷

在審

• 申請號: 202111618166.6
• 申請日: 2018-02-08
• 公開（公告）號: CN114318299A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 蕭滿超;M·R·麥克唐納;雷新建;王美良
• 申請（專利權）人: 弗薩姆材料美國有限責任公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/40;C07F7/21;C07F7/18;C07F7/10;B65D81/20
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 吳亦華;徐一琨

1.一種用于通過可流動化學氣相沉積(FCVD)沉積含硅和氧的膜的方法，所述方法包括：

將包含表面特征的襯底置于反應器中，其中將所述襯底保持在約-20℃至約400℃范圍內的一個或多個溫度下，并將所述反應器的壓力保持在100托或更低；

向所述反應器中引入選自式A至E的至少一種化合物：

其中，

R¹選自C₁至C₁₀直鏈烷基、C₃至C₁₀支鏈烷基、C₃至C₁₀環狀烷基、C₃至C₁₀雜環基、C₃至C₁₀烯基、C₃至C₁₀炔基和C₄至C₁₀芳基；

R²選自氫、C₁至C₁₀直鏈烷基、C₃至C₁₀支鏈烷基、C₃至C₁₀環狀烷基、C₃至C₁₀雜環基、C₃至C₁₀烯基、C₃至C₁₀炔基和C₄至C₁₀芳基，其中R¹和R²連接形成環狀環結構或不連接形成環狀環結構；

R^3-10各自獨立地選自氫、C₁至C₁₀直鏈烷基、C₃至C₁₀支鏈烷基、C₃至C₁₀環狀烷基、C₃至C₁₀烯基、C₃至C₁₀炔基和C₄至C₁₀芳基；

X選自C₁至C₁₀直鏈烷基、C₃至C₁₀支鏈烷基、C₃至C₁₀環狀烷基、C₂至C₁₀烯基、C₂至C₁₀炔基、C₄至C₁₀芳基、C₁至C₁₀酰基、R^1-2定義如上的-NR¹R²、H、Cl、Br、I、F、C₂至C₁₂羧酸酯基、C₁至C₁₀直鏈或支鏈烷氧基、三甲基甲硅烷氧基、二甲基甲硅烷氧基、甲基甲硅烷氧基或甲硅烷氧基，

其中R¹和X連接形成環狀環或不連接形成環狀環；

向所述反應器中提供氧源、氮源或者氧源和氮源以與所述至少一種化合物反應而形成膜并覆蓋所述表面特征的至少一部分；

在約100℃至1000℃的一個或多個溫度下使所述膜退火以包覆所述表面特征的至少一部分；和

在約20℃至約1000℃范圍內的一個或多個溫度下用氧源處理經退火的膜以在所述表面特征的至少一部分上形成含硅和氧的膜。

2.根據權利要求1所述的方法，其中R^2-10各自獨立地選自氫和C₁至C₄烷基。