[發(fā)明專利]一種高溫EFPI型光纖應(yīng)變傳感器及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111598612.1 | 申請日: | 2021-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN114509016A | 公開(公告)日: | 2022-05-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊浩;毛國培;李金洋;馬驄;史青 | 申請(專利權(quán))人: | 北京遙測技術(shù)研究所;航天長征火箭技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | G01B11/16 | 分類號: | G01B11/16;G02B6/255;G02B6/245;G02B6/25;G02B26/00 |
| 代理公司: | 北京巨弘知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11673 | 代理人: | 張婧 |
| 地址: | 100076 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高溫 efpi 光纖 應(yīng)變 傳感器 及其 制備 方法 | ||
1.一種高溫EFPI型光纖應(yīng)變傳感器,其特征在于:包括光纖(1),設(shè)置在所述光纖(1)外部的纖維套管(2),依次設(shè)置在所述纖維套管(2)一端的保護(hù)管(3)、光纖跳線(4),依次設(shè)置在所述纖維套管(2)另一端的金屬管(5)、氧化鋁陶瓷插芯(6),設(shè)置在所述氧化鋁陶瓷插芯(6)一側(cè)的陶瓷棒(7)和設(shè)置在所述金屬管(5)、所述氧化鋁陶瓷插芯(6)、所述陶瓷棒(7)下部的應(yīng)變拉伸彈片組件(8);
所述光纖(1)一端與所述光纖跳線(4)連接、另一端依次穿過所述金屬管(5)、所述氧化鋁陶瓷插芯(6)并露出光纖端面,陶瓷棒(7)的端面與所述光纖端面平行相對、距離為L,L為EFPI型光纖應(yīng)變傳感器腔長;
所述保護(hù)管(3)用于保護(hù)所述光纖(1)與所述光纖跳線(4)的連接處,所述金屬管(5)用于保護(hù)所述光纖(1)與所述氧化鋁陶瓷插芯(6)的連接處;
所述應(yīng)變拉伸彈片組件(8)包括用于固定所述光纖(1)、所述金屬管(5)和所述氧化鋁陶瓷插芯(6)的第一應(yīng)變拉伸彈片(81),用于固定所述陶瓷棒(7)的第二應(yīng)變拉伸彈片(82)和連接所述第一應(yīng)變拉伸彈片(81)、所述第二應(yīng)變拉伸彈片(82)的矩形彈簧結(jié)構(gòu)(83),所述光纖端面和所述陶瓷棒(7)的端面均設(shè)置在所述矩形彈簧結(jié)構(gòu)(83)上,所述第一應(yīng)變拉伸彈片(81)和所述第二應(yīng)變拉伸彈片(82)均為平面結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫EFPI型光纖應(yīng)變傳感器,其特征在于:所述光纖(1)為鍍金光纖,所述應(yīng)變拉伸彈片組件(8)的材質(zhì)為GH4169或GH3600。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫EFPI型光纖應(yīng)變傳感器,其特征在于:所述矩形彈簧結(jié)構(gòu)(83)與所述第一應(yīng)變拉伸彈片(81)、所述第二應(yīng)變拉伸彈片(82)的連接處設(shè)置半圓槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫EFPI型光纖應(yīng)變傳感器,其特征在于:所述應(yīng)變拉伸彈片組件(8)還包括設(shè)置在所述第一應(yīng)變拉伸彈片(81)和所述第二應(yīng)變拉伸彈片(82)的底部的倒三角結(jié)構(gòu)(84)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫EFPI型光纖應(yīng)變傳感器,其特征在于:所述EFPI型光纖應(yīng)變傳感器的工作溫度為0~700℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫EFPI型光纖應(yīng)變傳感器,其特征在于:所述光纖(1)與所述光纖跳線(4)熔接。
7.一種高溫EFPI型光纖應(yīng)變傳感器制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
S1、組裝:將光纖(1)一端與光纖跳線(4)熔接、另一端去除表面涂覆層并切割至光纖端面平整后依次插入金屬管(5)、氧化鋁陶瓷插芯(6)露出所述光纖端面,使用陶瓷膠將所述光纖(1)與所述金屬管(5)、所述氧化鋁陶瓷插芯(6)固定;
S2、調(diào)整腔長:將固定后的所述光纖(1)、所述金屬管(5)和所述氧化鋁陶瓷插芯(6)放置在第一應(yīng)變拉伸彈片(81)上,將陶瓷棒(7)放置在第二應(yīng)變拉伸彈片(82),調(diào)節(jié)L,達(dá)到設(shè)定值后向矩形彈簧結(jié)構(gòu)(83)的半圓槽中填入陶瓷膠固定所述光纖(1)和所述陶瓷棒(7)的位置;
S3、退火:將組裝后的應(yīng)變拉伸彈片組件(8)放入馬弗爐進(jìn)行退火,退火后取出;
S4、測試:將退火后的EFPI型光纖應(yīng)變傳感器進(jìn)行測試,測試合格后制備完成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種高溫EFPI型光纖應(yīng)變傳感器制備方法,其特征在于:步驟S3中退火的溫度制度包括:升溫階段、恒溫階段、爐內(nèi)退火階段和自然降溫階段。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種高溫EFPI型光纖應(yīng)變傳感器制備方法,其特征在于:所述升溫階段的溫度制度為:從室溫升溫至750℃、升溫速率為10℃/min;
所述恒溫階段的溫度為750℃、保持時間60min;
所述爐內(nèi)退火階段的時間為60min。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種高溫EFPI型光纖應(yīng)變傳感器制備方法,其特征在于:步驟S4的測試方法包括溫度系數(shù)測試和應(yīng)變系數(shù)測試;
所述溫度系數(shù)測試方法為:將所述EFPI型光纖應(yīng)變傳感器與解調(diào)儀和電腦連接,并將組裝后的所述應(yīng)變拉伸彈片(8)放入馬弗爐,使用解調(diào)程序進(jìn)行溫度系數(shù)測試得到溫度系數(shù);
所述應(yīng)變系數(shù)測試方法為:將所述應(yīng)變拉伸彈片(8)粘接在拉伸片后安裝在拉伸機(jī)上,再在所述應(yīng)變拉伸彈片(8)一側(cè)粘貼電阻應(yīng)變片,所述拉伸機(jī)施加應(yīng)力后讀取所述電阻應(yīng)變片的應(yīng)變值得到應(yīng)變系數(shù)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京遙測技術(shù)研究所;航天長征火箭技術(shù)有限公司,未經(jīng)北京遙測技術(shù)研究所;航天長征火箭技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111598612.1/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





