[發明專利]二極管轉移方法以及二極管轉移裝置在審
| 申請號: | 202111598003.6 | 申請日: | 2021-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN114300502A | 公開(公告)日: | 2022-04-08 |
| 發明(設計)人: | 王雪琴 | 申請(專利權)人: | TCL華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 蘇蕾 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 二極管 轉移 方法 以及 裝置 | ||
本申請公開了一種二極管轉移方法以及二極管轉移裝置,所述二極管轉移方法包括以下步驟:提供一拾取裝置,所述拾取裝置上設置有柔性電路層以及受熱膨脹層;所述拾取裝置拾取二極管芯片;以及加熱升高所述受熱膨脹層的溫度,所述受熱膨脹層膨脹后帶動所述柔性電路層延伸,拉大所述二極管芯片之間的間距。本申請的技術效果在于,實現二極管擴大間距并有序排列的巨量轉移目標。
技術領域
本申請涉及顯示領域,具體涉及一種二極管轉移方法以及二極管轉移裝置。
背景技術
和現有的液晶顯示面板技術相比,微發光二極管的分辨率更大,對比度更高,響應更快,能耗更低,是極具潛力的新一代顯示技術。
在目前的技術中,微發光二極管只能先在襯底上通過外延生長,在制備完成后再通過轉移操作將巨量的微發光二極管轉移到顯示基板上,按一定規律形成陣列結構。
但是控制數以萬計的微發光二極管準確進行“巨量轉移”,是一項待解決的技術難點。在外延生長中,微發光二極管間距小,不滿足應用要求,需要在轉移過程中擴大間距,實現微發光二極管的有序排列。
發明內容
本申請的目的在于,提供一種二極管轉移方法以及二極管轉移裝置,可以解決現有的微發光二極管在轉移過程中間距減小且容易造成無序排列等技術問題。
為實現上述目的,本申請提供一種二極管轉移方法,包括以下步驟:提供一拾取裝置,所述拾取裝置上設置有柔性電路層以及受熱膨脹層;所述拾取裝置拾取二極管芯片;以及加熱處理使得所述受熱膨脹層溫度升高,膨脹后帶動所述柔性電路層延伸,拉大所述二極管芯片之間的間距。
進一步地,所述受熱膨脹層的材質包括導熱金屬或高分子聚合物。
進一步地,所述導熱金屬單體包括銅、鋁、鎳中的一種。
進一步地,所述導熱金屬單體包括鐵鎳鉻合金、錳鎳銅合金中的一種。
進一步地,所述高分子聚合物包括聚丙烯、PET、ABS塑料、硅橡膠中的一種。
進一步地,所述二極管轉移方法還包括:當所述二極管芯片到指定位置后,對所述拾取裝置斷電,釋放所述二極管芯片。
進一步地,所述二極管轉移方法還包括:釋放所述二極管芯片后,降低溫度使得所述受熱膨脹層恢復到原始狀態。
為實現上述目的,本申請還提供一種二極管轉移裝置,包括:拾取裝置,用于拾取待轉移的二極管;柔性電路層,設于所述拾取裝置一側的表面;受熱膨脹層,設于所述柔性電路層遠離所述拾取裝置一側的表面;以及溫度控制裝置,用于控制所述二極管轉移裝置內溫度的升降。
進一步地,所述溫度控制裝置控制溫度上升時,所述受熱膨脹層受熱膨脹,帶動所述柔性電路層延伸拉長,拉大拾取裝置之間的間距;所述溫度控制裝置控制溫度下降時,所述受熱膨脹層緊縮后恢復到初始狀態,所述柔性電路層恢復原狀,減小拾取裝置之間的間距。
進一步地,所述受熱膨脹層的材質包括導熱金屬或高分子聚合物。
本申請的技術效果在于,受熱膨脹層受熱膨脹,帶動其下方的柔性電路層以及二極管芯片一起延展,擴大兩個二極管芯片之間的間隙,同時,也能實現轉移后二極管有序排列的效果,完成巨量轉移的目標。
附圖說明
為了更清楚地說明本申請實施例中的技術方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例,對于本領域技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本申請實施例提供的二極管轉移方法的流程圖;
圖2是本申請實施例提供的二極管轉移裝置的結構示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





