[發(fā)明專利]一種MEMS電容式六軸力傳感器芯片及其制備工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111595513.8 | 申請日: | 2021-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN114323396B | 公開(公告)日: | 2022-11-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙立波;譚仁杰;韓香廣;高文迪;李敏;陳瑤;董林璽;楊萍;王小章;王久洪;蔣莊德 | 申請(專利權(quán))人: | 西安交通大學(xué);杭州電子科技大學(xué) |
| 主分類號: | G01L5/165 | 分類號: | G01L5/165;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司: | 西安智大知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 61215 | 代理人: | 賀建斌 |
| 地址: | 710049 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 mems 電容 式六軸力 傳感器 芯片 及其 制備 工藝 | ||
1.一種MEMS電容式六軸力傳感器芯片,其特征在于:包括由上向下設(shè)置的高阻硅器件層(1)、低阻硅器件層(2)和玻璃器件層(3),通過硅-硅鍵合和硅-玻鍵合形成一種三明治結(jié)構(gòu);
所述的高阻硅器件層(1)包括第一中心剛體(12),第一中心剛體(12)外側(cè)通過環(huán)形陣列的V型梁(11)和外圍邊框連接,第一中心剛體(12)的內(nèi)部設(shè)有圓柱形空腔(13);
所述的低阻硅器件層(2)包括第二中心剛體(23),第二中心剛體(23)四周和電極(21)形成梳齒電容(22),第二中心剛體(23)四角和電極(21)通過Z型梁(25)連接;
所述的電極(21)包括八個梳齒電容的定極板電極、四個與第二中心剛體(23)互相連接的動極板電極;所述的梳齒電容(22)共八個,八個梳齒電容(22)呈軸對稱或中心對稱布置,每個梳齒電容(22)由動極板(222)和定極板(221)組成,動極板(222)與傳感器芯片四周的電極對應(yīng)相連,定極板(221)均與第二中心剛體(23)相連,且定極板(221)高度大于動極板(222),梳齒電容(22)能夠?qū)⒌诙行膭傮w(23)的位移或轉(zhuǎn)角轉(zhuǎn)化為電容數(shù)值的變化;所述的第二中心剛體(23)一方面與高阻硅器件層(1)的第一中心剛體(12)鍵合為一體,另一方面作為梳齒電容動極板的公共電極;
所述的玻璃器件層(3)包括玻璃基底,玻璃基底上設(shè)有內(nèi)外玻璃腔體(31),內(nèi)玻璃腔體(31)設(shè)有平板電容極板(32),外玻璃腔體(31)設(shè)有外部焊盤(35),內(nèi)外的玻璃腔體(31)之間的玻璃基底上設(shè)有內(nèi)部焊盤(33),內(nèi)部焊盤(33)和外部焊盤(35)之間連接有金屬引線(34);
所述的平板電容極板(32)為四個正方形的金屬極板,且呈中心對稱布置在玻璃腔體(31)的表面,與低阻硅器件層(2)的第二中心剛體(23)構(gòu)成四個平行板電容;所述的內(nèi)部焊盤(33)包括八個與梳齒定極板電極接觸的內(nèi)部焊盤,和四個與梳齒動極板電極接觸的內(nèi)部焊盤,每個內(nèi)部焊盤(33)與低阻硅器件層(2)對應(yīng)的電極(21)在電學(xué)上互連互通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MEMS電容式六軸力傳感器芯片,其特征在于:所述的環(huán)形陣列的V型梁(11)中陣列數(shù)目為N,單個V型梁(11)由長度分別為L1和L2、寬度均為W的兩根直梁互呈θ度角連接而形成,V型梁(11)的一端固定于第一中心剛體(12)上,另一端固支于外圍邊框,將待測力或力矩轉(zhuǎn)化為第一中心剛體(12)的平動位移或轉(zhuǎn)動角度,通過對N、L1、L2、W和θ等參數(shù)的優(yōu)化設(shè)計,改變其剛度數(shù)值,對傳感器芯片的檢測量程進(jìn)行調(diào)整以滿足設(shè)計要求。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MEMS電容式六軸力傳感器芯片,其特征在于:所述的Z型梁(25)由三段直梁相互呈一定的角度連接而構(gòu)成,具有剛度小的特點。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MEMS電容式六軸力傳感器芯片,其特征在于:所述的玻璃腔體(31)的深度為所設(shè)計平行板電容的間距,通過濕法腐蝕工藝精確控制。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MEMS電容式六軸力傳感器芯片,其特征在于:所述的外部焊盤(35)為正方形結(jié)構(gòu),利用金線鍵合技術(shù)將外部焊盤(35)與外部PCB上的焊盤連接,即將傳感器芯片接入到外部電路當(dāng)中。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西安交通大學(xué);杭州電子科技大學(xué),未經(jīng)西安交通大學(xué);杭州電子科技大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111595513.8/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





