[發(fā)明專利]一種重?fù)搅壮妥韫鑶尉У闹苽浞椒?/span>有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111594443.4 | 申請日: | 2021-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN114318508B | 公開(公告)日: | 2023-10-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王萬華;李英濤;王凱磊;皮小爭;方峰;崔彬 | 申請(專利權(quán))人: | 山東有研半導(dǎo)體材料有限公司;有研半導(dǎo)體硅材料股份公司 |
| 主分類號: | C30B15/20 | 分類號: | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司: | 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100 | 代理人: | 劉秀青 |
| 地址: | 253012 山東省德州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)袁橋*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 重?fù)搅壮妥韫鑶尉?/a> 制備 方法 | ||
1.一種重?fù)搅壮妥韫鑶尉У闹苽浞椒ǎ涮卣髟谟冢诘葟焦ば蛑校捎玫墓に嚍椋?/p>
(1)等徑前期,爐室壓力由70-90Torr升到180-220Torr;
(2)等徑中期,爐室壓力維持在等徑前期升至的高壓不變;
(3)等徑后期,爐室壓力由所述高壓降到120-150Torr;
在整個(gè)等徑過程中,晶體拉速以每毫米等徑長度下降0.01-0.2mm/hr的速度下降。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的重?fù)搅壮妥韫鑶尉У闹苽浞椒ǎ涮卣髟谟冢谡麄€(gè)等徑過程中,晶體拉速由55-60mm/hr降至20-25mm/hr。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的重?fù)搅壮妥韫鑶尉У闹苽浞椒ǎ涮卣髟谟冢龅葟角捌跒榈葟介L度為0-100mm的階段;所述等徑中期為等徑長度為100-800mm的階段;所述等徑后期為等徑長度為800-1600mm的階段。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的重?fù)搅壮妥韫鑶尉У闹苽浞椒ǎ涮卣髟谟冢谒龅葟角捌冢瑺t室壓力以每毫米等徑長度升高0.5-2Torr的速度上升。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的重?fù)搅壮妥韫鑶尉У闹苽浞椒ǎ涮卣髟谟冢谒龅葟胶笃冢瑺t室壓力以每毫米等徑長度下降0.05-0.1Torr的速度下降。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于山東有研半導(dǎo)體材料有限公司;有研半導(dǎo)體硅材料股份公司,未經(jīng)山東有研半導(dǎo)體材料有限公司;有研半導(dǎo)體硅材料股份公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111594443.4/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:膽紅素的制備方法
- 下一篇:一種駕駛控制方法及裝置
- 直拉硅單晶生長的重?fù)诫s方法
- 用于六英寸及八英寸重?fù)搅字崩鑶尉е圃斓纳喜繜釄?/a>
- 摻鍺重?fù)搅字崩瓎尉Ч杵膬?nèi)吸雜結(jié)構(gòu)制備工藝
- 一種用于顯示重?fù)絅型直拉硅單晶空洞型缺陷的腐蝕液
- 顯示重?fù)絇型直拉硅單晶空洞型缺陷的腐蝕液及其應(yīng)用
- 磷砷銻共摻雜的N型重?fù)街崩鑶尉Ъ捌涔柰庋悠?/a>
- 重?fù)缴楣鑶尉瘴卜椒把b置
- 低電阻率重?fù)缴楣鑶尉У纳a(chǎn)方法及生產(chǎn)系統(tǒng)
- 能夠降低頭部電阻率的重?fù)紸s硅單晶生產(chǎn)方法
- 低電阻率重?fù)搅坠鑶尉a(chǎn)裝置及方法





