[發明專利]一種真空法提純鉛的產業化方法在審
| 申請號： | 202111593741.1 | 申請日： | 2021-12-23 |
| 公開（公告）號： | CN114381612A | 公開（公告）日： | 2022-04-22 |
| 發明（設計）人： | 陳巍;戴衛平;速斌;陳浩;馬祥亞;樊則飛;余勇;黃玉斌;余力豪;李建康 | 申請（專利權）人： | 昆明鼎邦科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C22B13/06 | 分類號： | C22B13/06;C22B9/02;C22B9/04 |
| 代理公司： | 昆明今威專利商標代理有限公司 53115 | 代理人： | 賽曉剛 |
| 地址： | 650033 云南省昆明市五華區學府路*** | 國省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 真空 提純 產業化 方法 | ||
1.一種真空法提純鉛的產業化方法，包括以下步驟：
(1)低溫除雜步驟：將4N鉛原料加入真空恒溫攪拌爐，控制溫度600-900℃，真空度為1Pa-20Pa的條件下，進行恒溫攪拌蒸餾2-10h，脫除Se、Te、As、Sb、Tl、Cd低沸點元素，攪拌槳轉速為60—120r/min，得到脫雜4N鉛以及高雜粗鉛；
(2)高溫除雜步驟：將低溫除雜步驟得到的脫雜4N鉛加入連續式真空爐，控制溫度為1100℃—1300℃，真空度為1Pa—20Pa，控制進料速度恒定條件下進行真空高溫蒸餾脫除Cu、Fe、Ni、Sn高沸點雜質，得到5N鉛產品以及高雜粗鉛。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述低溫除雜步驟得到的脫雜4N鉛中Se1ppm、Te1ppm、As0.3ppm、Sb0.5ppm、Tl1ppm、Cd0.5ppm。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于低溫除雜步驟的脫雜4N鉛的直收率大于98％，高雜鉛的占比小于2％。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于高溫除雜步驟的高雜粗鉛可循環蒸餾多次，達到5N鉛產品的直收率大于98％，高雜鉛II的占比小于2％。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于高溫除雜步驟控制進料速度恒定，每日的處理量可根據生產要求及設備進行調整日進料量為1-30噸/天。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于高溫除雜步驟除雜設備采用石墨制的真空連續式蒸餾爐。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于鉛原料中雜質符合4N鉛GB/T469-2013標準。
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