[發明專利]一種懸臂件的處理方法

在審

• 申請號: 202111593139.8
• 申請日: 2021-12-23
• 公開（公告）號: CN116334541A
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: 李萬品
• 申請（專利權）人: 東莞新科技術研究開發有限公司
• 主分類號: C23C14/14
• 分類號: C23C14/14;C23C14/06;C23C14/34
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 廖慧琪

1.一種懸臂件的處理方法，其特征在于，包括：

在真空室中，在懸臂件上沉積Si過渡層；

以石墨靶和Si靶為靶材，在沉積Si過渡層后的懸臂件上沉積SiC緩沖層；

向真空室中通入氬氣和甲烷，并以石墨靶為靶材，在沉積SiC緩沖層后的懸臂件上沉積DLC層。

2.如權利要求1所述的懸臂件的處理方法，其特征在于，在所述在真空室中，在懸臂件上沉積Si過渡層之前，還包括：

采用乙醇對懸臂件進行超聲清洗；

將超聲清洗后的懸臂件放入去離子水中漂洗；

將漂洗后的懸臂件用氮氣吹干。

3.如權利要求2所述的懸臂件的處理方法，其特征在于，在所述將漂洗后的懸臂件用氮氣吹干之后，還包括：

用細砂紙將懸臂件拋光；

將拋光后的懸臂件浸入混合酸液中；

取出浸泡后的懸臂件，并將其放入真空室的樣品臺；

對真空室抽真空至3.0×10^-3pa，并通入氬氣，使真空室中的氣壓達到2～3Pa，在懸臂件上施加-100V的偏壓，以使輝光放電形成的氬等離子體懸臂件進行濺射；

以石墨、Ti、Si和Cu中的至少一種作為靶材，對懸臂件進行濺射，濺射時間為5min。

4.如權利要求1-3任一項所述的懸臂件的處理方法，其特征在于，所述在真空室中，在懸臂件上沉積Si過渡層，具體包括：

調整真空室中的氬氣壓強至10^-1～10^-2Pa，將懸臂件加熱至200～220℃，并以Si靶為靶材在懸臂件上濺射Si過渡層，電源功率為500W，負偏壓為-500V。

5.如權利要求4所述的懸臂件的處理方法，其特征在于，以Si靶為靶材在懸臂件上濺射Si過渡層的濺射時間為20-25min。

6.如權利要求1-3任一項所述的懸臂件的處理方法，其特征在于，所述以石墨靶和Si靶為靶材，在沉積Si過渡層后的懸臂件上沉積SiC緩沖層，具體包括：

調整真空室中的氬氣壓強至10Pa，氬氣氣流為118sccm，并在懸臂件上施加-150V的偏壓；

調整真空室中的氬氣壓強至10^-1～10^-2Pa，以石墨靶和Si靶為靶材，設定濺射電流為2A，溫度為220℃，以在沉積Si過渡層后的懸臂件上形成SiC緩沖層。

7.如權利要求1-3任一項所述的懸臂件的處理方法，其特征在于，所述向真空室中通入氬氣和甲烷，并以石墨靶為靶材，在沉積SiC緩沖層后的懸臂件上沉積DLC層，具體包括：

調整真空室中的氬氣壓強至10Pa，氬氣氣流為118sccm，并在懸臂件上施加-150V的偏壓；

向真空室中通入氬氣和甲烷，調節壓強為0.65×10^-3～5×10^-3pa，設定溫度為250～300℃，在懸臂件上施加-150～-400V負偏壓；

以石墨靶為靶材，打開靶濺射電源，用脈沖電壓濺射石墨靶，電壓為100～250V，以在沉積SiC緩沖層后的懸臂件上形成DLC層。

8.如權利要求7所述的懸臂件的處理方法，其特征在于，所述向真空室中通入氬氣和甲烷，調節壓強為0.65×10^-3～5×10^-3pa，設定溫度為250～300℃，在懸臂件上施加-150～-400V負偏壓，具體包括：

向真空室中通入氣流量為5～10sccm的氬氣以及氣流量為10～20sccm的甲烷，調節壓強為0.65×10^-3～5×10^-3pa，設定溫度為250～300℃，在懸臂件上施加-150～-400V負偏壓。