[發明專利]太陽吸收比可調型熱控涂層制備方法、系統及隔熱組件

在審

• 申請號: 202111591232.5
• 申請日: 2021-12-23
• 公開（公告）號: CN114192363A
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 趙凱璇;龐樂;段洋;陳硯朋;代善良;孫敬文
• 申請（專利權）人: 上海衛星裝備研究所
• 主分類號: B05D1/02
• 分類號: B05D1/02;B05D1/32;B05D5/00;B05D7/24;B64G1/58;C09D5/32
• 代理公司: 上海段和段律師事務所 31334
• 代理人: 李佳俊

1.一種太陽吸收比可調型熱控涂層制備方法，其特征在于，包括：在結構散熱區域或多層隔熱組件面膜外側采用不同太陽吸收比的涂層按面積比例交替均勻布置，根據散熱區域形狀、熱源分布以及散熱區域均溫性能要求設置涂層間隔分布的幾何參數。

2.根據權利要求1所述的太陽吸收比可調型熱控涂層制備方法，其特征在于：所述涂層間隔分布的方式包括輻條分布、網格分布以及圓環分布。

3.根據權利要求1所述的太陽吸收比可調型熱控涂層制備方法，其特征在于：所述噴涂的涂層包括高吸發比涂層和低吸發比涂層，所述高吸發比涂層的太陽能吸收比α_S為0.6～0.95，所述低吸發比涂層的太陽能吸收比α_S為0.08～0.50。

4.根據權利要求1所述的太陽吸收比可調型熱控涂層制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1：根據太陽吸收比設計目標α_S，結合散熱面形狀以及熱源分布，對散熱區域或多層隔熱組件薄膜上不同太陽吸收比涂層的比例和布局進行設計，繪制涂層分布圖；

步驟S2：根據涂層分布圖，對噴涂區域的高吸發比涂層噴涂區進行遮蔽保護；

步驟S3：按照噴涂工藝對低吸發比涂層完成噴涂；

步驟S4：拆除噴涂區域的遮蔽保護，對已完成噴涂的低吸發比涂層進行遮蔽，按照噴涂工藝對高吸發比涂層完成噴涂；

步驟S5：拆除所有遮蔽保護，完成噴涂工序。

5.根據權利要求4所述的太陽吸收比可調型熱控涂層制備方法，其特征在于：所述步驟S1中比例和布局的設計包括以下步驟：

步驟S1.1：選擇太陽吸收比數值已知的高吸發比涂層和低吸發比涂層；

步驟S1.2：對噴涂區域內涂層面積區域分布進行計算；

S_A+S_B＝S

α_SA×S_A+α_SB×S_B＝α_S×S

其中S_A為高吸發比涂層的面積，S_B為低吸發比涂層的面積，S為噴涂區域總面積，α_SA為高吸發比涂層的太陽吸收比，α_SB為低吸發比涂層的太陽吸收比，將α_S帶入以上兩式，得到S_A＝I_AS，S_A＝I_BS，其中I_A、I_B為兩種涂層的面積占比，并有I_A+I_B＝1。

步驟S1.3：根據比例關系，結合散熱面區域形狀和熱源分布，選擇合適的涂層布局，根據散熱面均溫性能，確定布局類型的幾何參數。

6.一種太陽吸收比可調型熱控涂層制備系統，其特征在于，包括：在結構散熱區域或多層隔熱組件面膜外側采用不同太陽吸收比的涂層按面積比例交替均勻布置，根據散熱區域形狀、熱源分布以及散熱區域均溫性能設置涂層間隔分布的幾何參數。

7.根據權利要求1所述的太陽吸收比可調型熱控涂層制備系統，其特征在于：所述噴涂的涂層包括高吸發比涂層和低吸發比涂層，所述高吸發比涂層的太陽能吸收比α_S為0.6～0.95，所述低吸發比涂層的太陽能吸收比α_S為0.08～0.50。