[發(fā)明專利]顯示芯片及顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111589201.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-12-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114335054A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 岳大川 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 季華實(shí)驗(yàn)室 |
| 主分類號(hào): | H01L27/15 | 分類號(hào): | H01L27/15;H01L33/62 |
| 代理公司: | 蘇州謹(jǐn)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人: | 田媛 |
| 地址: | 528000 廣東省*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 芯片 顯示裝置 | ||
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種顯示芯片和顯示裝置,包括襯底以及若干個(gè)像素單元,各像素單元分別包括發(fā)光器件、陽(yáng)極、陰極,顯示芯片還包括多個(gè)N?line和多個(gè)P?line,N?line將位于同一行的多個(gè)像素單元的陰極連接,P?line將位于同一列的多個(gè)像素單元的陽(yáng)極連接;各像素單元在所述的襯底上分別形成凸出于襯底表面的島,各島分別具有兩端部,所述的N?line覆蓋所述的島的部分側(cè)表面和臺(tái)階面,并且在大于等于兩個(gè)方向上對(duì)所述的島陰極形成包覆。本申請(qǐng)可以增加N?line與島的接觸面積,減少斷線率。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體顯示器件技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種微型發(fā)光二極管顯示芯片。
背景技術(shù)
在顯示技術(shù)領(lǐng)域中,近年來(lái)采用半導(dǎo)體加工方法制作的顯示器,如OLED、Mini-LED以及Micro-LED等,以其低功耗、高分辨率、高對(duì)比度、零遲延等諸多優(yōu)點(diǎn)受到越來(lái)越多的研究和關(guān)注,也代表著最新一代顯示技術(shù)的發(fā)展。
對(duì)于半導(dǎo)體顯示器件來(lái)說(shuō),其驅(qū)動(dòng)方式一般分為無(wú)源選址驅(qū)動(dòng)(PM:PassiveMatrix)和有源選址驅(qū)動(dòng)(AM:Active Matrix)兩種。在PM驅(qū)動(dòng)模式中,以及共用電極的AM驅(qū)動(dòng)模式中,每一列LED像素的陽(yáng)極通過(guò)一根列掃描線(P-line)連接,每一行的LED像素的陰極通過(guò)一根行掃描線(N-line)連接,當(dāng)某一列掃描線和某一行掃描線被選通的時(shí)候,其交叉點(diǎn)的LED像素就會(huì)被點(diǎn)亮,通過(guò)高速逐點(diǎn)掃描,可以顯示出連續(xù)變化的畫面。
參見(jiàn)圖1、2、3所示,現(xiàn)有技術(shù)中,行掃描線和列掃描線分別通過(guò)接觸金屬連接各像素的陰極和陽(yáng)極,然而,由于各像素制程過(guò)程中,會(huì)形成起伏的島狀結(jié)構(gòu)(ISO島),其中,金屬連接線在覆蓋如圖2所示的島狀結(jié)構(gòu)時(shí),由于金屬的沉積和爬坡具有方向性,導(dǎo)致在水平面和垂直面上的金屬覆蓋厚度往往不同,容易出現(xiàn)某一方向的金屬斷線,影響顯示芯片的穩(wěn)定性和可靠性,因此,如何克服金屬斷線的問(wèn)題是提高半導(dǎo)體顯示器件產(chǎn)品良率亟需解決的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決金屬斷線的技術(shù)問(wèn)題,本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N能夠避免金屬斷線的顯示器件。
為了實(shí)現(xiàn)上述申請(qǐng)的目的, 本申請(qǐng)采用如下技術(shù)方案:一種顯示芯片,包括襯底以及以行列形式排布在該襯底上的若干個(gè)像素單元,各所述的像素單元分別包括發(fā)光器件、分別與發(fā)光器件形成接觸的陽(yáng)極以及陰極,所述的顯示芯片還包括多個(gè)N-line和多個(gè)P-line,所述的N-line將位于同一行的多個(gè)像素單元的陰極連接,所述的P-line將位于同一列的多個(gè)像素單元的陽(yáng)極連接;各所述的像素單元的陰極在所述的襯底上分別形成凸出于襯底表面的島,所述的島具有平坦的臺(tái)階面和連接臺(tái)階面與襯底的側(cè)表面,所述的N-line覆蓋所述的島的部分側(cè)表面和臺(tái)階面,并且在大于等于兩個(gè)方向上對(duì)所述的島陰極形成包覆。
在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中,各所述的島分別具有兩端部,所述的N-line包括沿行方向延伸的細(xì)長(zhǎng)部和包覆各所述的島端部的包覆部,所述的包覆部的寬度大于所述的細(xì)長(zhǎng)部的寬度,所述的包覆部對(duì)所述的端部形成覆蓋。
在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中,所述的N-line在相互垂直的兩個(gè)方向上對(duì)所述的島陰極形成包覆。
在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中,所述島的端部有三個(gè)側(cè)表面均被所述的N-line包裹。
在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中,在所述的襯底所在的平面上,所述的島的投影呈凹字形、長(zhǎng)圓形、啞鈴形,所述的發(fā)光器件位于所述的島的兩個(gè)端部之間。
本申請(qǐng)的另一方案是提供一種具有上述顯示芯片的顯示裝置。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





