[發(fā)明專利]氯化石墨烯材料、制備方法及隱身空間太陽電池

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111585534.1
• 申請(qǐng)日: 2021-12-22
• 公開（公告）號(hào): CN114256631A
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐建明;鄭通;馬寧華;蔣帥;陳國(guó)鈴;宋琳琳;楊瑰婷;顧偉偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海空間電源研究所
• 主分類號(hào): H01Q17/00
• 分類號(hào): H01Q17/00;H01L31/0216;C01B32/194;C01B32/186
• 代理公司: 上海元好知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31323
• 代理人: 賈藝璇;賈慧琴

1.一種氯化石墨烯材料的制備方法，其特征在于，包括：

將金屬薄膜放置于MOCVD系統(tǒng)腔體的靶臺(tái)上，抽真空至＜10^-4Torr；

通入氫氣和氬氣，氣體流量50sccm-100sccm，靶臺(tái)溫度800℃-1100℃；

停止通入氫氣和氬氣，通入甲烷，氣體流量25sccm-50sccm，反應(yīng)時(shí)間0.5h-3h；

停止通入甲烷，在可見光照射下，通入氯氣，氣體流量30sccm-70sccm，靶臺(tái)溫度550℃-750℃，反應(yīng)時(shí)間0.5h-2h；

停止通入氯氣，以5℃/s-20℃/s的速率降溫至室溫，獲得所述的氯化石墨烯材料。

2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，將所述的金屬薄膜放置于所述靶臺(tái)之前，包含在所述的金屬薄膜上加工微結(jié)構(gòu)的步驟。

3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，包含后處理步驟：對(duì)所述的氯化石墨烯材料進(jìn)行去膠、酸洗、剝離。

4.一種由權(quán)利要求1-3所述的任意一項(xiàng)方法制備的氯化石墨烯材料。

5.一種隱身太陽電池，其特征在于，包括依次層疊的第一石墨烯層、介質(zhì)層、第二石墨烯層、連接層和電池結(jié)構(gòu)；

所述第一石墨烯層和所述第二石墨烯層包含權(quán)利要求4所述的氯化石墨烯材料；

所述介質(zhì)層包含二氧化硅；

所述連接層包含聚乙烯醇縮丁醛。

6.如權(quán)利要求5所述的隱身空間太陽電池，其特征在于，所述第一石墨烯層上包含第一十字結(jié)構(gòu)，所述第一十字結(jié)構(gòu)的臂長(zhǎng)4mm-8mm，臂寬2mm-5mm。

7.如權(quán)利要求5所述的隱身空間太陽電池，其特征在于，所述第二石墨烯層上包含第二十字結(jié)構(gòu)，所述第二十字結(jié)構(gòu)的臂長(zhǎng)1mm-3mm，臂寬1mm-2mm。

8.如權(quán)利要求5所述的隱身空間太陽電池，其特征在于，所述電池結(jié)構(gòu)包括依次層疊的正電極、空間電池和負(fù)電極，所述正電極設(shè)置于所述連接層的一側(cè)。

9.如權(quán)利要求8所述的隱身空間太陽電池，其特征在于，

所述空間電池為砷化鎵電池；

所述正電極為銀正電極，厚度4μm-6μm；

所述負(fù)電極為銀負(fù)電極，厚度7μm-9μm。

10.如權(quán)利要求5所述的隱身空間太陽電池，其特征在于，

所述介質(zhì)層的厚度為110μm-130μm；

所述連接層的厚度為140μm-160μm。