[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111582712.5
• 申請(qǐng)日: 2021-12-22
• 公開（公告）號(hào): CN116387292A
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳柏毅;鐘明峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/66
• 分類號(hào): H01L23/66;H01L23/31;H01L23/552;H01L23/373
• 代理公司: 北京植眾德本知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 16083
• 代理人: 高秀娟

1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括：

天線層；

射頻芯片，與所述天線層電連接；

預(yù)制構(gòu)件，設(shè)于所述天線層與所述射頻芯片的上方，其中，所述預(yù)制構(gòu)件具有對(duì)應(yīng)所述天線層的第一區(qū)域以及對(duì)應(yīng)所述射頻芯片的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域用于增加天線增益，所述第二區(qū)域用于提供所述射頻芯片的散熱路徑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述第一區(qū)域?yàn)轭l率選擇表面FSS結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述第一區(qū)域具有至少一個(gè)開孔，所述至少一個(gè)開孔露出所述天線層的至少一部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述天線層為柵格陣列天線。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，還包括：

基板，用于承載所述天線層和所述射頻芯片。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述預(yù)制構(gòu)件具有支撐區(qū)域，所述支撐區(qū)域與所述基板接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述至少一個(gè)開孔于所述基板上表面的投影區(qū)域覆蓋所述天線層。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述至少一個(gè)開孔露出所述基板上表面的一部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述天線層與所述預(yù)制構(gòu)件的第一區(qū)域之間形成電磁波共振腔。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述電磁波共振腔與所述射頻芯片之間設(shè)有電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，以減弱所述天線層與所述射頻芯片之間的電磁屏蔽干擾。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，還包括：

模封層，包覆所述射頻芯片，所述模封層露出所述射頻芯片的一部分，以使所述射頻芯片連接所述第二區(qū)域。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述電磁屏蔽結(jié)構(gòu)貫穿所述模封層。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述射頻芯片與所述第二區(qū)域之間設(shè)有熱界面材料。