[發明專利]一種制備納米圓錐形蜂窩結構的方法在審
| 申請號: | 202111580560.5 | 申請日: | 2021-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN114231929A | 公開(公告)日: | 2022-03-25 |
| 發明(設計)人: | 趙曉宇;梁龍杰;溫嘉紅;張鑒;郭筱潔;王雅新;鐘家松;張永軍 | 申請(專利權)人: | 杭州電子科技大學 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 杭州君度專利代理事務所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人: | 楊舟濤 |
| 地址: | 310018 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制備 納米 圓錐形 蜂窩 結構 方法 | ||
1.一種制備納米圓錐形蜂窩結構的方法,其特征在于,該方法具體包括以下步驟:
1)處理具有親水性硅片;
2)制備六方密排的聚苯乙烯小球陣列;
將直徑500nm聚苯乙烯小球和無水乙醇的按照體積比為1:1混合,再通過超聲處理使聚苯乙烯小球均勻分散,用移液槍將聚苯乙烯小球分散液滴在大塊的硅片,使分散液均勻分布在硅片上,將大硅片傾斜的滑入液面平穩的器皿中,在水面上形成密排的聚苯乙烯小球陣列,最后用清洗后的硅片將浮在水面上的小球陣列緩慢的撈起來,吸水干燥后備用;
3)制備PVA膠;
4)利用旋涂機將PVA膠旋涂至樣品上;
5)利用磁控濺射在步驟4)制備的樣品上制作銀、二氧化硅共濺射膜;
6)用四氫呋喃對步驟5)制備的樣品進行化學處理;
將樣品放入培養皿內加入四氫呋喃,浸泡3個小時,聚苯乙烯小球被腐蝕掉,留下銀,二氧化硅共濺射形成的納米圓錐型結構;
7)用質量比20%氫氟酸做表面化學處理,腐蝕30s,將共濺射中二氧化硅部分腐蝕掉,形成納米蜂窩狀圓錐形結構。
2.根據權利要求1所述的一種制備納米圓錐形蜂窩結構的方法,其特征在于:所述的處理具有親水性硅片,具體為:
1a)清洗硅片:用去離子水和無水乙醇分別浸泡干凈硅片,再用超聲儀超聲15min,洗去硅片表面灰層臟污和油漬;將硅片取出來,放置在吸水紙上將殘余水分吸干;
1b)親水處理;將硅片并放入燒杯中,在燒杯中分別加入體積比為1:2:6的氨水、過氧化氫和去離子水的混合溶液中;將燒杯放在烤焦臺上加熱至沸騰,并保持煮沸15min,冷卻后將液體倒出,依次用去離子水,無水乙醇反復超聲15min。
3.根據權利要求1所述的一種制備納米圓錐形蜂窩結構的方法,其特征在于:利用旋涂機將PVA膠旋涂至樣品上,具體為:稱量質量比為1%PVA粉末,加入去離子水,放入磁力攪拌子,放在攪拌加熱臺上,90℃高溫加熱攪拌,至溶液中顆粒全部溶解在水中。
4.根據權利要求1所述的一種制備納米圓錐形蜂窩結構的方法,其特征在于:取40μlPVA膠,使用布膠速度為2510RPM,旋涂18秒,之后使用勻膠速度為8520RPM,旋涂60秒。
5.根據權利要求1所述的一種制備納米圓錐形蜂窩結構的方法,其特征在于:利用磁控濺射在步驟4)制備的樣品上制作銀、二氧化硅共濺射膜;
具體為:將銀靶和二氧化硅靶各自傾斜40度,同時向硅片濺射;濺射銀的功率為10W,二氧化硅功率為40W時;前背景氣壓為4.5×10-4Pa,通入25sccm的Ar,濺射時背景氣壓為1.5Pa,濺射時間為10min;在這個條件下,銀和二氧化硅含量比為4:1。
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