[發明專利]一種銅箔制備方法有效
| 申請號: | 202111580022.6 | 申請日: | 2021-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN114196920B | 公開(公告)日: | 2022-10-21 |
| 發明(設計)人: | 李大雙;陸冰滬;王同;甘國慶;吳斌;黃超 | 申請(專利權)人: | 安徽銅冠銅箔集團股份有限公司;銅陵有色銅冠銅箔有限公司;合肥銅冠電子銅箔有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/16 | 分類號: | C23C14/16;C23C14/34;C25D3/38;C25D7/06;C25D5/48;C23C18/18;C23C18/31;C23C22/60;B05D7/14;B05D7/24 |
| 代理公司: | 蘇州市指南針專利代理事務所(特殊普通合伙) 32268 | 代理人: | 王照柱 |
| 地址: | 247100 安徽省池*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 銅箔 制備 方法 | ||
1.一種極薄可剝離的復合銅箔的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
S1、開啟離子型氣相沉積鍍膜機,利用濺射真空泵對離子型氣相沉積鍍膜機進行抽真空處理,并向離子型氣相沉積鍍膜機中充入惰性氣體,保持離子型氣相沉積鍍膜機的真空度為10-2-10-3托;
以HTE銅箔作為基體材料,以99.99%的銅片和99.99的鉬片作為陰極靶材;對陰極和陽極加上高電壓,形成預處理箔片;
S2、對預處理箔片進行水洗和酸洗;
S3、以預處理箔片為第二基體材料,以99.99%的鎳片和99.99%的鉬片為陰極靶材,在真空度為10-2-10-3托的惰性氣體氣氛下,對陰極和陽極加上高電壓,在預處理箔片上形成金屬隔離層,得到載體銅箔;
S4、在載體銅箔的S面涂覆有機隔離層,所述有機隔離層由BTA與MBT組成;
S5、將涂覆有金屬隔離層和有機隔離層的載體銅箔表面電沉積厚度為1.5-5μm的極薄銅箔,再在極薄銅箔表面依次經過粗化和固化、黑化、鍍鋅、鈍化表面處理以及涂覆硅烷偶聯劑工藝得到復合銅箔的成品;
所述步驟S1中,銅、鉬的質量比例為7-9:1。
2.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述步驟S1中的惰性氣體為氬氣、氖氣、氙氣、氪氣惰性氣體中的一種或幾種。
3.如權利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述步驟S1和所述步驟S3所使用的惰性氣體種類相同。
4.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,粗化所使用的粗化液中,Cu2+濃度為10-20g/L,硫酸濃度為70-220g/L,WO42-的濃度為30-50ppm,氯離子的濃度控制在30ppm。
5.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,固化所使用的固化液中,Cu2+濃度為30-60g/L,硫酸濃度為70-150g/L,氯離子的濃度為20-60ppm。
6.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,黑化使用的黑化液中,Ni2+濃度為1-30g/L,鈷濃度為10-60ppm,硼酸或檸檬酸中一種,pH值為3.5-10;鍍鋅使用的鍍鋅液中,Zn2+濃度為4-10g/L,焦磷酸鉀50-70g/L,pH值為8.5-10;鈍化表面處理使用的鈍化液中,鉻濃度為1-5g/L,pH值為10-14;涂覆硅烷偶聯劑工藝中使用的成分為含有氨基、環氧基、乙烯基、酰氧基及烷基官能團的硅烷中的一種或多種復合組成,其噴涂溫度為20-35℃。
7.一種復合銅箔,其特征在于,是由權利要求1-6中任一項所述的制備方法制備得到。
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