[發明專利]具有包覆成型件的功率模塊和包括這種功率模塊的系統

在審

• 申請號: 202111578021.8
• 申請日: 2021-12-22
• 公開（公告）號: CN114664773A
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發明（設計）人: V.弗坎布雷;A.杜托特;L.馬索爾;M.克里克布
• 申請（專利權）人: 法雷奧電機設備公司
• 主分類號: H01L23/49
• 分類號: H01L23/49;H01L23/62;H02M1/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王蕊瑞

1.一種功率模塊(110)，包括：

-優選由金屬制成的第一電連接部分(304₁)和第二電連接部分(304₂)，每個電連接部分具有主板(306₁,306₂)，所述主板(306₁,306₂)沿著相同的主平面(PP)延伸，從而基本共面；

-安裝在所述第一電連接部分(304₁)的主板(306₁)的上表面上的晶體管(112₁)，所述晶體管(112₁)的上表面限定參考平面(P)，所述晶體管(112₁)通過至少一個條帶(326₁)或通過至少一個電線電連接到所述第二電連接部分(304₂)的主板(306₂)的上表面；以及

-例如由樹脂制成的電絕緣包覆成型件(402)，覆蓋所述晶體管(112₁)和所述第一電連接部分(304₁)和第二電連接部分(304₂)的主板(306₁,306₂)的上表面的至少一部分，所述電絕緣包覆成型件(402)的上表面具有至少部分位于所述條帶(326₁)或電線上方的腔(C1)；

所述功率模塊(110)的特征在于，所述腔(C1)具有平坦底部，所述條帶(326₁)或電線形成第一橋(PO₁)，其兩端平坦地位于所述晶體管(112₁)的上表面上，所述第一橋(PO₁)的最高點在所述參考平面(P)上的正交投影包括在所述腔(C1)的所述平坦底部在所述參考平面(P)上的正交投影中，并且其中所述第一橋(PO₁)的最高點相對于所述參考平面(P)的距離D5與所述條帶(326₁)或電線的厚度(D4)之間的差大于或等于平行于穿過所述電絕緣包覆成型件(402)的最高點的參考平面的平面和所述參考平面(P)之間的距離D3與平行于穿過所述電絕緣包覆成型件(402)的最高點的參考平面的平面和平行于穿過所述腔(C1)的最低點的參考平面的平面之間的距離D2之間的差。

2.根據權利要求1所述的功率模塊(110)，其中，所述距離D3和所述距離D2之間的差大于或等于所述條帶或電線的厚度(D4)，優選大于或等于所述條帶或電線的厚度的兩倍。

3.根據前述權利要求中任一項所述的功率模塊(110)，其中，所述腔(C1)具有平坦底部，所述功率模塊(110)的特征在于，所述條帶(326₁)或電線的最高點在所述參考平面(P)上的正交投影包括在所述平坦底部在所述參考平面(P)上的正交投影中，并且所述條帶(326₁)或電線的最高點相對于所述參考平面(P)的距離D1與所述條帶或電線的厚度(D4)之間的差大于或等于所述距離D3和所述距離D2之間的差。

4.根據前述權利要求中任一項所述的功率模塊(110)，其中，所述條帶(326₁)或電線形成第二橋(PO₂)，其一端平坦地位于所述晶體管(112₁)的上表面上，并且其另一端平坦地位于所述第二電連接部分(304₂)的主板(306₂)的上表面上，其中所述第二橋(PO₂)的最高點在所述參考平面(P)上的正交投影包括在所述腔(C1)的所述平坦底部在所述參考平面(P)上的正交投影中，并且其中所述第二橋(PO₂)的最高點相對于所述參考平面(P)的距離D6與所述條帶或電線的厚度(D4)之間的差大于或等于所述距離D3和所述距離D2之間的差。