[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111577086.0
• 申請(qǐng)日: 2021-12-22
• 公開（公告）號(hào): CN114335010A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白丹;趙瑜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 孟霞

1.一種陣列基板，其特征在于，包括顯示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)，所述非顯示區(qū)包括彎折區(qū)；所述顯示區(qū)包括：

襯底；

屏蔽層，設(shè)置于所述襯底的一側(cè)；

阻隔層，覆于所述屏蔽層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；

有源層，設(shè)置于所述阻隔層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；以及

第一源漏極金屬層，設(shè)置于所述有源層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，所述第一源漏極金屬層通過(guò)接觸孔與所述有源層及所述屏蔽層電連接，所述接觸孔包括相連通的第一子接觸孔和第二子接觸孔，所述第一源漏極金屬層通過(guò)所述第一子接觸孔與所述有源層電連接，所述第一源漏極金屬層通過(guò)所述第一子接觸孔和第二子接觸孔與所述屏蔽層電連接；

其中，所述彎折區(qū)設(shè)置有相連通的第一開口和第二開口，所述第二開口位于所述第一開口靠近所述襯底的一側(cè)，在垂直于所述顯示面板的方向上，所述第一開口的深度與所述第一子接觸孔的深度相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述顯示區(qū)還包括：

第一柵極絕緣層，覆于所述有源層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；

第一柵極層，設(shè)置于所述第一柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；

第二柵極絕緣層，覆于所述第一柵極層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；

第二柵極層，設(shè)置于所述第二柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；以及

層間介電層，覆于所述第二柵極層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；

其中，所述第一子接觸孔和所述第一開口貫穿所述層間介電層、所述第二柵極絕緣層和所述第一柵極絕緣層，所述第二子接觸孔貫穿所述有源層、所述阻隔層和至少部分所述屏蔽層，所述第二開口貫穿所述阻隔層和部分所述襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述襯底包括層疊設(shè)置的第一柔性層、第一緩沖層、第二柔性層和第二緩沖層，所述第二開口貫穿所述阻隔層、所述第二緩沖層和部分所述第二柔性層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括第一平坦層，所述第一平坦層覆于所述第一源漏極金屬層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，所述第一平坦層從所述顯示區(qū)延伸至所述彎折區(qū)中，所述第一平坦層填充所述第一開口和所述第二開口。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述屏蔽層的材料包括非晶硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述屏蔽層的厚度范圍為50納米～300納米。

7.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的陣列基板。

8.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述陣列基板包括顯示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)，所述非顯示區(qū)包括彎折區(qū)；所述制備方法包括以下步驟：

提供一襯底；

在所述襯底的一側(cè)形成屏蔽層，所述屏蔽層位于所述顯示區(qū)；

形成覆于所述屏蔽層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)的阻隔層；

在所述阻隔層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)形成有源層，所述有源層位于所述顯示區(qū)；在所述有源層上形成第一子接觸孔的同時(shí)在所述彎折區(qū)形成第一開口，所述第一開口的深度與所述第一子接觸孔的深度相同；

在所述屏蔽層上形成第二子接觸孔的同時(shí)在所述彎折區(qū)內(nèi)形成第二開口，所述第二開口位于所述第一開口靠近所述襯底的一側(cè)；以及

在所述有源層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)形成第一源漏極金屬層，所述第一源漏極金屬層通過(guò)第一子接觸孔與所述有源層電連接，所述第一源漏極金屬層通過(guò)相連通的所述第一子接觸孔和第二子接觸孔與所述屏蔽層電連接。