[發明專利]界面復合結構及其制備方法和應用的兩端疊層太陽電池

在審

• 申請號: 202111576837.7
• 申請日: 2021-12-22
• 公開（公告）號: CN116364787A
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發明（設計）人: 葉繼春;曾俞衡;丁澤韜;劉偉;楊熹;閆寶杰;廖明墩;孫靖淞
• 申請（專利權）人: 中國科學院寧波材料技術與工程研究所
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/0687;H01L31/20;H10K30/10;H10K30/50;H10K39/15;H10K71/00
• 代理公司: 寧波甬致專利代理有限公司 33228
• 代理人: 李魏

1.一種界面復合結構，其特征在于：包括有富硼硅層(1)，所述富硼硅層(1)通過在硅片或硅片多層結構上進行硼摻雜形成，所述富硼硅層(1)的硼摻雜濃度為1×10²⁰–5×10²¹cm^-3，硼的原子比例為0.2–10at％。

2.根據權利要求1所述的界面復合結構，其特征在于：所述富硼硅層(1)厚度為1–200nm。

3.根據權利要求2所述的界面復合結構，其特征在于：所述富硼硅層(1)厚度為1–10nm。

4.根據權利要求1所述的界面復合結構，其特征在于：所述富硼硅層(1)的體相電阻率為0.5–10mΩ·cm。

5.一種如權利要求1–4任一所述的界面復合結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、對硅片或硅片多層結構進行預處理；

S2、對經過預處理的硅片或硅片多層結構進行硼摻雜處理，硼摻雜處理后的硅片或硅片多層結構中形成中度摻硼硅層(21)、富硼硅層(1)以及位于富硼硅層(1)表面的硼源殘留層；

S3、在氟化氫水溶液中去除硼源殘留層，制得所述界面復合結構。

6.根據權利要求5所述的界面復合結構的制備方法，其特征在于，還包括步驟：

S4、在強氧化性溶液和氟化氫水溶液中輪流浸泡所述富硼硅層(1)，去除部分被氧化的所述富硼硅層(1)，用于調整所述界面復合結構的厚度。

7.根據權利要求5所述的界面復合結構的制備方法，其特征在于：經過所述步驟S1預處理后的所述硅片或所述硅片多層結構的表面形貌為平面、金字塔絨面或倒金字塔絨面。

8.一種兩端疊層太陽電池，包括有頂電池(3)和底電池(2)，其特征在于：還包括權利要求1–4任一所述的界面復合結構，所述界面復合結構位于所述頂電池(3)與所述底電池(2)之間。

9.根據權利要求8所述的一種兩端疊層太陽電池，其特征在于，所述底電池(2)為TOPCon晶硅電池、PERC晶硅電池或SHJ晶硅電池。

10.一種如權利要求8–9任一所述的兩端疊層太陽電池的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：首先在硅片或硅片多層結構上制備界面復合結構，之后在此基礎上制備得到底電池(2)結構，最后在所述界面復合結構表面制備得到頂電池(3)。