[發(fā)明專利]一種電光傳感器靜態(tài)偏置點(diǎn)工藝校正的方法和電光傳感器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111574849.6
• 申請日: 2021-12-21
• 公開（公告）號(hào): CN114460378A
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬昕雨;牟星;莊池杰;曾嶸;唐建石;高濱;錢鶴;吳華強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): G01R29/08
• 分類號(hào): G01R29/08
• 代理公司: 北京知聯(lián)天下知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11594
• 代理人: 張迎新;史光偉

1.一種電光傳感器靜態(tài)偏置點(diǎn)工藝校正的方法，其特征在于，包括以下步驟：

測量電光傳感器的靜態(tài)偏置點(diǎn)與π/2的偏差；

調(diào)節(jié)光波導(dǎo)的有效折射率，使所述電光傳感器的靜態(tài)偏置點(diǎn)達(dá)到π/2。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光傳感器靜態(tài)偏置點(diǎn)工藝校正的方法，其特征在于，所述調(diào)節(jié)光波導(dǎo)的有效折射率，使所述電光傳感器的靜態(tài)偏置點(diǎn)達(dá)到π/2包括以下子步驟：

通過在過渡族金屬氧化物阻變材料兩側(cè)施加外電壓，調(diào)節(jié)過渡族金屬氧化物阻變材料的介電常數(shù)，從而改變光波導(dǎo)的有效折射率，使靜態(tài)偏置點(diǎn)達(dá)到π/2；

撤去外電壓，所述過渡族金屬氧化物阻變材料的介電常數(shù)保持不變。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電光傳感器靜態(tài)偏置點(diǎn)工藝校正的方法，其特征在于，所述過渡族金屬氧化物阻變材料包括三氧化鎢、二氧化鈦和五氧化二鈮。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光傳感器靜態(tài)偏置點(diǎn)工藝校正的方法，其特征在于，所述電光傳感器的光路結(jié)構(gòu)為MZ干涉光路或共路干涉光路。

5.一種電光傳感器，采用如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的電光傳感器靜態(tài)偏置點(diǎn)工藝校正的方法進(jìn)行校正，其特征在于，包括：

襯底(1)、鈮酸鋰光波導(dǎo)(2)、下電極(3-1)、過渡族金屬氧化物阻變材料層(3-2)和上電極(3-3)；

所述襯底(1)上設(shè)置有鈮酸鋰光波導(dǎo)(2)；

所述下電極(3-1)設(shè)置于襯底(1)表面，與外部電源的正極/負(fù)極連接；

所述上電極(3-3)設(shè)置于襯底(1)表面，與外部電源的負(fù)極/正極連接；

所述過渡族金屬氧化物阻變材料層(3-2)設(shè)置于下電極(3-1)和上電極(3-3)之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光傳感器，其特征在于，還包括：鍵合緩沖層(4)和支撐材料(5)；

所述襯底(1)通過鍵合緩沖層(4)設(shè)置于支撐材料(5)表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的電光傳感器，其特征在于，所述襯底(1)為塊狀鈮酸鋰或薄膜鈮酸鋰。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電光傳感器，其特征在于，所述鍵合緩沖層(4)為二氧化硅或苯并環(huán)丁烯。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光傳感器，其特征在于，所述下電極(3-1)為氧化銦錫或氟摻雜氧化錫。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光傳感器，其特征在于，所述上電極(3-3)為氧化銦錫、氟摻雜氧化錫、鉑、鋁或氮化鈦。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電光傳感器，其特征在于，所述支撐材料(5)為塊狀鈮酸鋰、硅或石英。