[發明專利]一種Micro LED芯片的轉移方法和顯示設備

在審

• 申請號: 202111574520.X
• 申請日: 2021-12-21
• 公開（公告）號: CN114242640A
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發明（設計）人: 盛東洋;楊輝;李飛;莊勁草;郭建;張向飛;蘆玲
• 申請（專利權）人: 淮安澳洋順昌光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L25/075
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 宋南

1.一種Micro LED芯片的轉移方法，其特征在于，包括如下步驟：

(a)、提供具有多個錫柱的陣列的臨時基板，然后將Micro LED芯片倒置于所述錫柱的頂端，使所述錫柱卡在所述Micro LED芯片的P型焊盤和N型焊盤之間，并使所述Micro LED芯片與所述錫柱完成鍵合；

(b)、將所述Micro LED芯片的襯底剝離后采用印章對其進行吸附，然后調節溫度，錫柱轉化為粉末狀灰錫后與所述Micro LED芯片脫離，再將表面吸附有所述Micro LED芯片的印章轉移至目標基板上，得到表面具有多個Micro LED芯片的目標基板；

其中，所述錫柱的材料包括白錫和/或錫合金。

2.根據權利要求1所述的轉移方法，其特征在于，所述錫合金中除錫以外的金屬元素包括鉛、銻、鉍、鐵、鎘和鋁中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的轉移方法，其特征在于，步驟(a)中，所述錫柱的寬度與所述Micro LED芯片的P型焊盤和N型焊盤之間的寬度之差小于2μm。

4.根據權利要求1所述的轉移方法，其特征在于，步驟(a)中，通過圖形化處理得到所述具有多個錫柱的陣列的臨時基板；

優選地，所述圖形化處理具體包括如下步驟：在所述臨時基板的表面涂覆光刻膠后進行曝光和顯影，然后采用鍍膜技術在其表面形成錫膜；再將光刻膠以及在所述光刻膠表面的錫膜剝離；

優選地，所述鍍膜技術包括電子束蒸鍍、熱蒸發和磁控濺射中的至少一種；

優選地，所述臨時基板包括藍寶石、硅片和銅基板中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的轉移方法，其特征在于，步驟(a)中，所述鍵合的溫度為200～500℃。

6.根據權利要求1～5任一項所述的轉移方法，其特征在于，步驟(b)中，所述剝離的方法包括激光剝離技術和/或濕法藥液去除。

7.根據權利要求1～5任一項所述的轉移方法，其特征在于，步驟(b)中，所述調節溫度至小于13.2℃。

8.根據權利要求1～5任一項所述的轉移方法，其特征在于，步驟(b)中，所述將表面吸附有所述Micro LED芯片的印章轉移至目標基板上具體包括如下步驟：通過鍵合使所述Micro LED芯片與所述目標基板連接后，剝離所述印章；

優選地，所述剝離的方法包括UV照射和/或加熱。

9.根據權利要求1～5任一項所述的轉移方法，其特征在于，步驟(b)中，所述印章上設置有多個凸起，通過所述凸起吸附所述Micro LED芯片；

優選地，所述凸起的材料包括PDMS。

10.一種顯示設備，包括如權利要求1～9任一項所述的Micro LED芯片的轉移方法所轉移得到的所述表面具有多個Micro LED芯片的目標基板。