[發明專利]用于處理半導體工件的裝置

在審

• 申請號: 202111574112.4
• 申請日: 2021-12-21
• 公開（公告）號: CN116364507A
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發明（設計）人: 戴佳卉
• 申請（專利權）人: 拓荊鍵科（海寧）半導體設備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67;H01L21/687
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 徐迪

1.一種用于處理半導體工件的裝置，其包括：

極板和連接至所述極板的射頻導入結構，所述射頻導入結構包括：

射頻元件，其包括金屬導體；

導電棒，其經配置以電連接至所述金屬導體，且所述導電棒具有根部和連接至所述根部的端部；及

絕緣體構件，其包圍所述導電棒的所述根部，且所述導電棒的所述端部的一部分經配置以置入所述極板中。

2.根據權利要求1所述的用于處理半導體工件的裝置，其中所述射頻導入結構還包括從所述金屬導體的第一表面延伸的內芯，且所述導電棒連接至所述第一表面且具有容納所述內芯的腔體，所述導電棒接觸所述內芯。

3.根據權利要求2所述的用于處理半導體工件的裝置，其中所述射頻導入結構還包括連接至所述射頻元件的水平板狀元件，所述水平板狀元件具有第二表面和與所述第二表面相對的第三表面，所述第三表面經配置以接觸可拆卸的第一金屬線圈。

4.根據權利要求3所述的用于處理半導體工件的裝置，其中所述第一金屬線圈是不完全閉合線圈，或完全閉合線圈。

5.根據權利要求1所述的用于處理半導體工件的裝置，其中所述導電棒包括沿著所述射頻導入結構的長度方向延伸的豎直部分。

6.根據權利要求3所述的用于處理半導體工件的裝置，其進一步包括設置于所述射頻導入結構的所述水平板狀元件的所述第二表面上的緊固件。

7.根據權利要求6所述的用于處理半導體工件的裝置，其進一步包括位于所述極板的上方的蓋板，所述極板通過螺釘鎖緊的吊裝方式連接至所述蓋板，且所述緊固件將所述射頻導入結構固定至所述蓋板。

8.根據權利要求7所述的用于處理半導體工件的裝置，其進一步包括上絕緣結構，其環繞所述極板的上表面和側表面，且位于所述極板與所述蓋板之間，且所述導電棒穿過所述蓋板，及所述上絕緣結構的第三通孔。

9.根據權利要求8所述的用于處理半導體工件的裝置，其中所述導電棒的所述端部通過穿過所述第三通孔而連接至所述極板的盲孔。

10.根據權利要求3所述的用于處理半導體工件的裝置，其中所述導電棒包括沿著所述射頻導入結構的長度方向延伸的豎直部分和沿著所述射頻導入結構的寬度方向延伸的水平部分，其中所述水平部分具有第一水平表面、與所述第一水平表面相對的第二水平表面，及位于所述第一水平表面與第二水平表面之間的側表面，所述根部包括所述水平部分；且

所述絕緣體構件包括：

第一部分，其包圍所述水平部分的所述第一水平表面和所述側表面；及

第二部分，其包圍所述導電棒的所述根部內的豎直部分。

11.根據權利要求10所述的用于處理半導體工件的裝置，其中所述絕緣體構件進一步包括第三部分，其覆蓋所述水平部分的所述第二水平表面及所述金屬導體的一部分。

12.根據權利要求10所述的用于處理半導體工件的裝置，其中所述水平部分的所述第一水平表面設置有第一凹槽，所述第一凹槽經配置以容納可拆卸的密封圈。

13.根據權利要求12所述的用于處理半導體工件的裝置，其中所述密封圈的材質是彈性材料。

14.根據權利要求10所述的用于處理半導體工件的裝置，其中所述射頻導入結構還包括法蘭元件，其經配置以將所述射頻導入結構以插拔方式固定至所述用于處理半導體結構的裝置的底板，所述底板位于所述極板的下方。

15.根據權利要求14所述的用于處理半導體工件的裝置，其中所述法蘭元件具有與所述第二部分接觸的第四表面，所述第四表面設置有第三凹槽，所述第三凹槽經配置以容納可拆卸的第二金屬線圈。