[發(fā)明專(zhuān)利]一種具有高增益低旁瓣電平特性的毫米波陣列天線(xiàn)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111571830.6
• 申請(qǐng)日: 2021-12-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114204285A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬文宇;曹文權(quán);張邦寧;王闖;李丹華
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)人民解放軍陸軍工程大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01Q21/06
• 分類(lèi)號(hào): H01Q21/06;H01Q21/00;H01Q1/24;H01Q1/00
• 代理公司: 北京力量專(zhuān)利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11504
• 代理人: 王鴻遠(yuǎn)

1.一種具有高增益低旁瓣電平特性的毫米波陣列天線(xiàn)，其特征在于：包括上下兩層介質(zhì)板、GCPW饋電結(jié)構(gòu)、一分四功分器和四元基于SIW諧振腔TE₄₄₀模的縫隙漏波天線(xiàn)陣；

沿下層介質(zhì)板長(zhǎng)度方向的上、下表面分別覆蓋下金屬面、金屬地，下金屬面刻蝕有四組周期排列的耦合縫隙對(duì)及GCPW饋電結(jié)構(gòu)；一分四功分器對(duì)稱(chēng)地置于下層介質(zhì)板上，沿上層介質(zhì)板的外周均勻刻蝕一組金屬化通孔；四元基于SIW諧振腔TE₄₄₀模的縫隙漏波天線(xiàn)陣位于上層介質(zhì)板，上層介質(zhì)板刻蝕有四組周期排列的金屬化通孔陣，上層介質(zhì)板上表面覆蓋上金屬面，上金屬面刻蝕有四組4×4元縫隙陣；

所述上層介質(zhì)板下側(cè)中央位置刻蝕一塊凹槽，用于放置End Launch連接器，實(shí)現(xiàn)GCPW側(cè)面饋電；

所述上、下兩層介質(zhì)板對(duì)正放置，周?chē)鷮?duì)應(yīng)刻蝕一組圓形空氣化通孔，用于塑料螺釘固定疊放。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高增益低旁瓣電平特性的毫米波陣列天線(xiàn)，其特征在于，上述上下兩層介質(zhì)板為同種介質(zhì)基板，相對(duì)介電常數(shù)2.2，損耗角正切0.0009，長(zhǎng)度均為112.1mm，寬度均為63.4mm，上、下兩層介質(zhì)板的厚度分別為1mm、0.5mm；所述的上層介質(zhì)板下側(cè)中央位置刻蝕凹槽的尺寸為20mm×6mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高增益低旁瓣電平特性的毫米波陣列天線(xiàn)，其特征在于，上述一分四功分器由沿介質(zhì)板均勻刻蝕的一組金屬化通孔組成，對(duì)稱(chēng)地置于下層介質(zhì)板上，金屬化通孔半徑為0.15mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高增益低旁瓣電平特性的毫米波陣列天線(xiàn)，其特征在于，上述四元基于SIW諧振腔TE₄₄₀模的縫隙漏波天線(xiàn)陣位于上層介質(zhì)板，上層介質(zhì)板刻蝕有四組周期排列的金屬化通孔陣，金屬化通孔半徑為0.15mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高增益低旁瓣電平特性的毫米波陣列天線(xiàn)，其特征在于，上述金屬地的長(zhǎng)為112.1mm，寬為63.4mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高增益低旁瓣電平特性的毫米波陣列天線(xiàn)，其特征在于，上述下金屬面刻蝕有四組周期排列的耦合縫隙對(duì)，耦合縫隙長(zhǎng)4.6mm，寬0.7mm，每組縫隙對(duì)距離為20.7mm，縫隙對(duì)之間的距離為10mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有高增益低旁瓣電平特性的毫米波陣列天線(xiàn)，其特征在于，上述上金屬面刻蝕有四組4×4元縫隙陣，縫隙長(zhǎng)4.2mm，寬0.9mm，每組縫隙陣距離為20.7mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有高增益低旁瓣電平特性的毫米波陣列天線(xiàn)，其特征在于，上述上、下兩層介質(zhì)板周?chē)鷮?duì)應(yīng)刻蝕一組圓形空氣化通孔，空氣化通孔半徑為1mm，空氣化通孔的個(gè)數(shù)為11個(gè)。