[發(fā)明專利]一種具有應(yīng)力補(bǔ)償功能的MEMS加速度計(jì)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111571394.2 | 申請日: | 2021-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN114264844A | 公開(公告)日: | 2022-04-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蘇巖 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州感測通信息科技有限公司 |
| 主分類號: | G01P15/125 | 分類號: | G01P15/125 |
| 代理公司: | 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 32102 | 代理人: | 周湛湛 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州市自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蘇州片*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 應(yīng)力 補(bǔ)償 功能 mems 加速度計(jì) | ||
1.一種具有應(yīng)力補(bǔ)償功能的MEMS加速度計(jì),包括由上至下按序?qū)盈B設(shè)置的上方硅帽層(104)、平面結(jié)構(gòu)層及下方硅襯底層(103),
所述平面結(jié)構(gòu)層包括沿Z軸運(yùn)動的質(zhì)量塊(101)及至少分布在質(zhì)量塊一側(cè)的檢測電極,所述質(zhì)量塊與檢測電極構(gòu)成一對平行板電容;
其特征在于:在所述質(zhì)量塊同一層結(jié)構(gòu)上設(shè)置有不敏感輸入加速度的結(jié)構(gòu)(601),所述結(jié)構(gòu)(601)在對應(yīng)的硅帽上設(shè)置有檢測電極(602a),在對應(yīng)的硅襯底上設(shè)置有檢測電極(602b),通過結(jié)構(gòu)(601)與檢測電極(602a)構(gòu)成應(yīng)力檢測電容(603a),通過結(jié)構(gòu)(601)與檢測電極(602b)構(gòu)成應(yīng)力檢測電容(603b),以實(shí)現(xiàn)對封裝應(yīng)力的測量;所述應(yīng)力檢測電容(603a)和應(yīng)力檢測電容(603b)構(gòu)成一對差分電容(603),其輸出的電容差分變化量為ΔCσ。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有應(yīng)力補(bǔ)償功能的MEMS加速度計(jì),其特征在于:所述不敏感輸入加速度的結(jié)構(gòu)(601)通過若干數(shù)量級的增加結(jié)構(gòu)(601)與MEMS加速度計(jì)框架或襯底的剛度,實(shí)現(xiàn)對輸入加速度的不敏感;通過增加不小于3個數(shù)量級剛度的結(jié)構(gòu)(601),以實(shí)現(xiàn)敏感與不敏感的顯著區(qū)別。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有應(yīng)力補(bǔ)償功能的MEMS加速度計(jì),其特征在于:通過將應(yīng)力檢測電容設(shè)置于MEMS加速度計(jì)平面結(jié)構(gòu)層的框架中,以實(shí)現(xiàn)對輸入加速度的不敏感;或?qū)?yīng)力檢測電容設(shè)置于MEMS加速度計(jì)平面結(jié)構(gòu)層的錨點(diǎn)附近區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有應(yīng)力補(bǔ)償功能的MEMS加速度計(jì),其特征在于:所述差分電容(603)輸出的電容差分變化量為ΔCσ,所述電容變化量ΔCσ是關(guān)于應(yīng)力σ的函數(shù)gσ(σ),與輸入加速度無關(guān),即ΔCσ=gσ(σ);
函數(shù)gσ(σ)通過有限元仿真得出相關(guān)曲線,通過將高階復(fù)雜模型公式簡化為一個線性模型,即
ΔCσ=gσ(σ)≈Aσ2C·σ+Bσ2C0。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有應(yīng)力補(bǔ)償功能的MEMS加速度計(jì),其特征在于:所述函數(shù)ga(σ)與函數(shù)gσ(σ)表示為ga(σ)=K(gσ(σ)),該相關(guān)函數(shù)K受電容位置、電容面積、應(yīng)力大小的影響,通過試驗(yàn)測量方式獲得;當(dāng)試驗(yàn)測量獲得應(yīng)力相關(guān)函數(shù)K后,通過測量出的差分電容(603)變化量ΔCσ推算出差分電容(201)變化量ΔCa中的應(yīng)力變化量成分ga(σ),并在加速度計(jì)檢測電路或外部信號處理電路中將差分電容(201)變化量ΔCa中的應(yīng)力變化量成分ga(σ)去除,即應(yīng)力補(bǔ)償后的輸出ΔCout=ΔCa-K(ΔCσ);
函數(shù)K是一個高階函數(shù),其近似簡化的關(guān)系式表示為:
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有應(yīng)力補(bǔ)償功能的MEMS加速度計(jì),其特征在于:所述檢測電極為分別分布于所述質(zhì)量塊(101)至少一側(cè)的上檢測電極(102a)和(或)下檢測電極(102b),所述質(zhì)量塊與上檢測電極(102a)構(gòu)成一對平行板電容(201a),質(zhì)量塊(101)與下檢測電極(102b)構(gòu)成一對平行板電容(201b)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有應(yīng)力補(bǔ)償功能的MEMS加速度計(jì),其特征在于:所述質(zhì)量塊通過梁結(jié)構(gòu)懸浮在MEMS結(jié)構(gòu)芯片內(nèi)部。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有應(yīng)力補(bǔ)償功能的MEMS加速度計(jì),其特征在于:所述MEMS加速度計(jì)還包括用于實(shí)現(xiàn)所述硅襯底層(103)與所述質(zhì)量塊二者間連接的錨點(diǎn)結(jié)構(gòu),所述錨點(diǎn)結(jié)構(gòu)通過梁與質(zhì)量塊相連接;所述質(zhì)量塊下方的設(shè)置有加速度檢測電極(904a)和(904b),連接固定在錨點(diǎn)上的框架結(jié)構(gòu)(905a)和(905b),以及位于框架結(jié)構(gòu)下方的應(yīng)力檢測電極(906a)和(906b);
所述質(zhì)量塊與加速度檢測電極(904a)和質(zhì)量塊與加速度檢測電極(904b)構(gòu)成一對加速度檢測差分電容,實(shí)現(xiàn)對輸入加速度的檢測,所述框架結(jié)構(gòu)剛性固定連接到錨點(diǎn)結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)對輸入加速度不敏感,所述質(zhì)量塊與應(yīng)力檢測電極(906a)和質(zhì)量塊與應(yīng)力檢測電極(906b)構(gòu)成一對應(yīng)力檢測差分電容,實(shí)現(xiàn)對應(yīng)力的檢測。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于蘇州感測通信息科技有限公司,未經(jīng)蘇州感測通信息科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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