[發(fā)明專利]傳輸裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111569239.7
• 申請日: 2021-12-21
• 公開（公告）號: CN114221108B
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發(fā)明（設計）人: 楊華斌;張健
• 申請（專利權(quán)）人: 北京晟德微集成電路科技有限公司
• 主分類號: H01P5/10
• 分類號: H01P5/10
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;馬陸娟

公開了一種傳輸裝置，包括依次設置的微帶線、介質(zhì)集成波導結(jié)構(gòu)和激勵單元，激勵單元上方設置金屬波導，電磁波由微帶線輸入，由金屬波導輸出。本發(fā)明的傳輸裝置通過介質(zhì)集成波導結(jié)構(gòu)連接微帶線與激勵單元，將微帶線與設置在激勵單元上的金屬波導分隔開，使金屬波導可直接與激勵單元周圍的金屬層密封連接，避免了金屬波導的開窗需求，降低了電磁波傳遞至金屬波導的空間損耗，提高了電磁波至金屬波導的傳輸效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電磁波傳輸技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及傳輸裝置。

背景技術(shù)

在電磁波的傳輸領(lǐng)域中，尤其是在微波或毫米波的傳輸過程中，通常需要將微波信號在波導和微帶線之間進行傳輸，此時，就需要一種能夠有效轉(zhuǎn)換波導和微帶傳輸線之間能量的轉(zhuǎn)換裝置。

參照圖1，在現(xiàn)有技術(shù)的傳輸裝置100中，基板110上設置微帶線111，微帶線111末端設置偶極子112作為激勵單元，激勵單元將通過微帶線111接收的電磁波輻射至設置在偶極子112上方的金屬波導120的管腔中。

其中，為避免微帶線111與金屬波導120的直接接觸導致的傳輸線路短路，需要在金屬波導120與微帶線111的交接位置增加一個開窗結(jié)構(gòu)121，然而開窗結(jié)構(gòu)的增加，會導致電磁波的泄露，進而導致轉(zhuǎn)換損耗增加。

在實際應用中，金屬波導120均為標準件，不便于開窗，實際的實現(xiàn)都是在金屬波導和微帶線之間增加一個金屬墊片，在金屬墊片上開窗，實現(xiàn)金屬波導與微帶線的隔離，但需要機械加工的墊片增加了轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的成本，同時非傳輸用的結(jié)構(gòu)件的增加，會帶來相應誤差的增加，使傳輸裝置的整體良率下降。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種傳輸裝置，從而解決微帶線與金屬波導的交接問題，提高傳輸裝置的電磁波傳輸效率。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種傳輸裝置，用于電磁波的傳輸，包括：

依次設置第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域，所述第一區(qū)域包括微帶線，所述第二區(qū)域包括介質(zhì)集成波導結(jié)構(gòu)，所述第三區(qū)域包括激勵單元和設置在所述激勵單元上方的金屬波導，所述金屬波導的管口邊緣圍繞所述激勵單元設置，其中，

輸入電磁波通過所述微帶線、所述介質(zhì)集成波導結(jié)構(gòu)、所述激勵單元依次傳遞，并通過所述激勵單元向所述金屬波導的管腔輻射電磁波。

可選地，還包括：

介質(zhì)基板，包括金屬化通孔；

頂層金屬層，設置在所述介質(zhì)基板的頂層；

底層金屬層，設置在所述介質(zhì)基板的底層，所述底層金屬層通過所述金屬化通孔與所述頂層金屬層電連接，其中，

所述頂層金屬層包括所述微帶線、所述激勵單元和所述介質(zhì)集成波導結(jié)構(gòu)的頂層金屬，

所述金屬波導立于所述頂層金屬層上。

可選地，所述頂層金屬層包括位于所述第一區(qū)域中的第一開窗區(qū)，所述激勵單元設置在所述第一開窗區(qū)內(nèi)；

所述激勵單元通過饋電部與所述頂層金屬層的其它部分連接。

可選地，所述金屬化通孔還設置在所述第一開窗區(qū)的邊緣位置。

可選地，設置在所述激勵單元周圍的金屬化通孔的中心至所述第一開窗區(qū)的邊緣的距離小于或等于0.4毫米。

可選地，所述金屬波導的管口內(nèi)邊緣與所述第一開窗區(qū)的邊緣重合。

可選地，所述金屬波導的輸入端的外延結(jié)構(gòu)還覆蓋所述第一開窗區(qū)的邊緣位置的金屬化通孔。

可選地，所述金屬化通孔的孔直徑為0.25至0.35毫米。