[發(fā)明專利]一種裸硅封裝MOS管

在審

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• 申請日: 2021-12-21
• 公開（公告）號: CN114512451A
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發(fā)明（設計）人: 涂振坤;苗義敬;王澤斌
• 申請（專利權）人: 普森美微電子技術（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L23/32
• 分類號: H01L23/32;H01L23/13;H01L29/78
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明公開了一種裸硅封裝MOS管，包括基板、陶瓷座、MOS管的主體、定位結構、調節(jié)座結構以及快速固定結構，所述陶瓷座固定安裝于基板的上端表面處，所述陶瓷座的上端表面處開設有兩個定位槽，所述主體通過定位結構安裝于陶瓷座的上端表面處，且所述定位結構與定位槽連接，所述陶瓷座的上端表面橫向開設有兩道調節(jié)槽，所述陶瓷座的上端表面處開設有一個螺紋槽，所述調節(jié)座結構活動安裝于陶瓷座上端表面的兩道調節(jié)槽處，所述快速固定結構安裝于調節(jié)座結構處，且所述快速固定結構與定位結構連接。本發(fā)明在封裝安裝MOS管時，操作簡單，省時省力，大大提高了工作效率，且封裝安裝后的MOS管穩(wěn)定性較高，整體實用性較高。

技術領域

本發(fā)明涉MOS管封裝技術領域，具體為一種裸硅封裝MOS管。

背景技術

MOS管，是MOSFET的縮寫，MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管，一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體，而MOS管需要進行封裝安裝后才能進行使用。

但是，現(xiàn)有的MOS管封裝時存在以下缺點：

1、封裝操作繁瑣復雜，導致封裝過程費時費力，從而使得MOS管的封裝效率較低。

2、封裝后的穩(wěn)定性較差，導致MOS管封裝后還是易出現(xiàn)移動滑動的情況而影響到其正常的使用，實用性較差。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的在于提供一種裸硅封裝MOS管，以解決傳統(tǒng)的MOS管封裝時封裝操作繁瑣復雜，導致封裝過程費時費力，從而使得MOS管的封裝效率較低，且封裝后的穩(wěn)定性較差，導致MOS管封裝后還是易出現(xiàn)移動滑動的情況而影響到其正常的使用，實用性較差的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術方案：一種裸硅封裝MOS管，包括基板、陶瓷座、MOS管的主體、定位結構、調節(jié)座結構以及快速固定結構，所述陶瓷座固定安裝于基板的上端表面處，所述陶瓷座的上端表面處開設有兩個定位槽，所述主體通過定位結構安裝于陶瓷座的上端表面處，且所述定位結構與定位槽連接，所述陶瓷座的上端表面橫向開設有兩道調節(jié)槽，所述陶瓷座的上端表面處開設有一個螺紋槽，所述調節(jié)座結構活動安裝于陶瓷座上端表面的兩道調節(jié)槽處，所述快速固定結構安裝于調節(jié)座結構處，且所述快速固定結構與定位結構連接。

優(yōu)選的，所述定位結構包括兩個定位板，兩個所述定位板均為L型板，兩個所述定位板分別固定安裝于主體的頂部處，且兩個所述定位板的L型轉折面分別與主體的前后兩側處貼合，且兩個所述定位板分別與兩個定位槽卡合連接，所述定位板的尺寸與定位槽的尺寸相匹配。

優(yōu)選的，兩個所述定位板的上端表面處均開設有限位槽。

優(yōu)選的，所述調節(jié)座結構包括調節(jié)板、安裝板、側面板以及固定旋鈕，所述調節(jié)板的底部通過多個連接件與兩道調節(jié)槽活動連接，所述安裝板為L型，所述安裝板固定安裝于調節(jié)板的上端表面處，所述側面板固定安裝于調節(jié)板的一側處，所述固定旋鈕的一端通過螺紋連接貫穿側面板，且所述固定旋鈕與螺紋槽螺紋連接。

優(yōu)選的，所述安裝板的L型轉折處斜角度設置有加強板。

優(yōu)選的，所述快速固定結構包括壓板和緊固旋鈕，所述壓板通過多個伸縮連接桿安裝于安裝板的L型轉折面底部處，所述緊固旋鈕的一端通過螺紋連接貫穿安裝板，且所述緊固旋鈕通過軸承與壓板的頂部處轉動連接，所述壓板的底部設置有兩個限位塊，且兩個所述限位塊分別與兩個限位槽卡合連接，所述限位塊的尺寸與限位槽的尺寸相匹配。

本發(fā)明提供了一種裸硅封裝MOS管，具備以下有益效果：