[發明專利]一種增鍍石墨層微天平石英晶片的生產方法

有效

• 申請號: 202111566259.9
• 申請日: 2021-12-20
• 公開（公告）號: CN114351094B
• 公開（公告）日: 2023-08-04
• 發明（設計）人: 李劍;張貽海;袁慶祝;王麗娟;陳杰;段宏偉
• 申請（專利權）人: 唐山萬士和電子有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/18
• 代理公司: 北京國貝知識產權代理有限公司 11698
• 代理人: 尹曉強

本發明公開一種增鍍石墨層微天平石英晶片的生產方法，包括：對微天平石英晶片鍍金屬膜，得到金屬鍍膜微天平石英晶片；對所述金屬鍍膜微天平石英晶片增鍍石墨層，得到增鍍石墨層微天平石英晶片，對所述微天平石英晶片鍍金屬膜的濺射功率為0.30kw?0.40kw，對所述金屬鍍膜微天平石英晶片增鍍石墨層的真空度為5.0×10?1Pa?7.0×10?1Pa、鍍前預加熱鍍膜溫度為120℃?140℃、濺射功率為0.5kW?0.8kW，速率為本發明得到的增鍍石墨層微天平石英晶片的石墨層無起皺、脫落等失效現象，能夠保證微天平石英晶片的敏感度。

技術領域

本發明涉及精密儀器領域，具體地涉及一種增鍍石墨層微天平石英晶片的?生產方法。

背景技術

石英晶體微天平基于聲波傳感原理，采用模塊化設計,可通過石英傳感器頻?率變化和耗散變化來檢測芯片表面微小的質量和結構變化。適用于氣體和液體?樣品。具有倍頻操作模式，可給出薄膜的粘度，彈性模量，粘性模量，厚度等?信息，并且可用于氣相組分、有毒易爆氣體的檢測，具有特異性好、靈敏度高、?成本低廉和操作簡便等優點。為了增加鍍金屬膜的微天平石英晶片的對待測物?的敏感度，通常會在金屬膜上增鍍石墨層。但是現有技術的金屬膜光滑度不夠，導致石墨層附著度差，會在造成石墨層起皺、脫落，并且現有技術中增鍍石墨?層的技術導致石墨薄膜敏感膜附著度差。

發明內容

為了解決增鍍石墨層微天平石英晶片的石墨層起皺、脫落的問題，本發明?提出如下方案：

一種增鍍石墨層微天平石英晶片的生產方法，包括：

對微天平石英晶片鍍金屬膜，得到金屬鍍膜微天平石英晶片；

對所述金屬鍍膜微天平石英晶片增鍍石墨層，得到增鍍石墨層微天平石英?晶片，

對所述微天平石英晶片鍍金屬膜的濺射功率為0.30kw-0.40kw，

對所述金屬鍍膜微天平石英晶片增鍍石墨層的真空度為5.0×10-1Pa-7.0×?10-1Pa、鍍前預加熱鍍膜溫度為120℃-140℃、濺射功率為0.5kW-0.8kW，速率?為

根據本發明的實施例，對所述微天平石英晶片鍍金屬膜的真空度為4.0×10-1Pa-5.4×10-1Pa、鍍前加熱鍍膜溫度為90℃-105℃、速率為

根據本發明的實施例，對所述金屬鍍膜微天平石英晶片增鍍石墨層得到的?所述增鍍石墨層微天平石英晶片中最終石墨厚度為100nm～150nm。

具體實施方式

下面將結合本發明的實施例，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完?整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的?實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動?前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

本發明增鍍石墨層微天平石英晶片的生產方法包括兩個步驟：

步驟1：對微天平石英晶片鍍金屬膜，得到金屬鍍膜微天平石英晶片，其?工藝為：濺射功率為0.30kw-0.40kw、真空度為4.0×10-1Pa-5.4×10-1Pa、鍍前?加熱鍍膜溫度為90℃-105℃、速率為這種濺射功率提高后，能夠?提高鍍金屬膜微天平石英晶片的金屬膜表面粗糙度，但前提是確保金電極膜沒?有產生明顯金的顆粒，否則會降低微天平良量程和精度。

步驟2：對所述金屬鍍膜微天平石英晶片增鍍石墨層，得到增鍍石墨層微?天平石英晶片，其工藝為：真空度為5.0×10-1Pa-7.0×10-1Pa、鍍前預加熱鍍?膜溫度為120℃-140℃、濺射功率為0.5kW-0.8kW，速率為以上?參數實在在保證微天平良量程和精度的前提下進行。通過分別提高對所述金屬?鍍膜微天平石英晶片增鍍石墨層真空度、鍍前預加熱鍍膜溫度、濺射功率和速?率，得到的所述增鍍石墨層微天平石英晶片中最終石墨層厚度為100nm～150nm。

具體實施例