[發明專利]一種Ti-Mo-B系三元硼化物涂層及其制備方法

有效

• 申請號: 202111565902.6
• 申請日: 2021-12-20
• 公開（公告）號: CN114277421B
• 公開（公告）日: 2023-10-03
• 發明（設計）人: 章俊;金維亮;儲少軍;肖賽君;寇倩;葛純濤;龐杰
• 申請（專利權）人: 安徽工業大學
• 主分類號: C25D13/02
• 分類號: C25D13/02
• 代理公司: 合肥昊晟德專利代理事務所(普通合伙) 34153
• 代理人: 王林

1.一種Ti-Mo-B系三元硼化物涂層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：制備含TiB2納米顆粒的NaCl和KCl固態混合鹽：

將NaCl和KCl固體無機鹽混合，球磨至微米級后，在球磨好的混合鹽中加入重量為混合鹽總重量40％～60％的平均粒徑為30～100nm的TiB₂顆粒，再加入丙酮液體并超聲分散，然后在真空干燥箱內抽真空加熱，即得含TiB₂納米顆粒的NaCl和KCl固態混合鹽；

S2：無機熔鹽電泳電化學共沉積制備Ti-Mo-B系三元硼化物涂層：

將NaCl/KCl/AlCl₃或NaCl/KCl/AlF₃固體無機鹽在惰性氣體下加熱到700℃～900℃熔融，將步驟S1中得到的含TiB₂納米顆粒的NaCl和KCl固態混合鹽與MoO₃粉先后加入熔融NaCl/KCl/AlCl₃或NaCl/KCl/AlF₃鹽中，形成含有鉬離子以及納米TiB₂的無機熔鹽，穩定后，將石墨陽極和待沉積陰極插入坩堝中，通電后同時進行鉬離子的電化學沉積與納米TiB₂電泳沉積，陰極沉積的鉬原子與納米TiB₂反應后即可得到Ti-Mo-B系三元硼化物涂層。

2.如權利要求1所述的一種Ti-Mo-B系三元硼化物涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中NaCl和KCl固體無機鹽的摩爾比為1:1。

3.如權利要求1所述的一種Ti-Mo-B系三元硼化物涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中真空加熱參數為：加熱溫度為150～180℃，真空度為30～60Pa，處理時間為1～1.5h。

4.如權利要求1所述的一種Ti-Mo-B系三元硼化物涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中NaCl/KCl/AlCl₃固體無機鹽中各組元的摩爾比為1:1:0.5～1，NaCl/KCl/AlF₃固體無機鹽中各組元的摩爾比為1:1:0.2～0.5。

5.如權利要求1所述的一種Ti-Mo-B系三元硼化物涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中鉬離子以及納米TiB₂的無機熔鹽中TiB₂濃度為10～90g/L、鉬離子濃度為0.1～0.8mol/L，MoO₃粉純度為分析純。

6.如權利要求1所述的一種Ti-Mo-B系三元硼化物涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中待沉積陰極的材料為石墨、不銹鋼、碳素鋼、鈦及鈦合金與鉬及鉬合金材料中的任意一種。

7.如權利要求1所述的一種Ti-Mo-B系三元硼化物涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中熔鹽電泳電化學共沉積電壓為0.8～1.5V。

8.一種采用如權利要求1～7任一項所述的制備方法制得的Ti-Mo-B系三元硼化物涂層。

9.如權利要求8所述的一種Ti-Mo-B系三元硼化物涂層，其特征在于，所述Ti-Mo-B系三元硼化物化學式為Ti_xMo_1-xB₂，其中0.2≤x≤0.8。